[发明专利]接合垫结构

权利要求书

1.一种接合垫结构，包括：

第一氧化物层，覆于衬底上面；

至少三个粘合结构，形成在第一氧化物层上方，其中至少三个粘合结构的每一个与至少三个粘合结构的相邻粘合结构在至少第一方向和第二方向上间隔开，其中所述第一方向和所述第二方向与所述第一氧化物层的表面区域平行，且其中所述至少三个粘合结构包括多晶硅；

第二氧化物层，形成在所述至少三个粘合结构和第一氧化物层上方，其中形成在第二氧化物层的表面区域内的至少三个接触器开口中的每个接触器开口包括一侧或多侧并且在所述至少三个粘合结构中的对应粘合结构的顶表面的至少一部分上方对准；

阻挡层，形成在所述第二氧化物层的所述表面区域内并且在第二氧化物层上方并且在所述至少三个接触器开口内，其中所述阻挡层在所述至少三个粘合结构中的对应粘合结构的顶表面的所述至少一部分和所述第二氧化物层的所述表面区域上方形成并且与所述至少一部分和所述第二氧化物层的所述表面区域共形；以及

共形金属层，形成在阻挡层上方并具有结构化的表面，其中所述结构化的表面与所述至少三个接触器开口共形并包括在至少三个接触器开口的相邻接触器开口之间的阻挡层上方的共形金属层的表面水平，该表面水平大于在阻挡层上方并在所述至少三个接触器开口内的共形金属层的表面水平。

2.如权利要求1所述的接合垫结构，其中所述阻挡层包括从由下面的材料组成的一组材料选择的材料：Ti、TiN、W、TiW、Ta、TaN、TiSiN、TaSiN、WN、Nb、Mo、MoN、Cr、Co、Ni、Pd、Pt以及这些材料的任何组合或衍生物。

3.如权利要求1所述的接合垫结构，其中所述金属层包括从由下面的材料组成的一组材料选择的材料：Al、Au、Ag、Cu、W、Cr、Ti、Pt、Pd以及这些材料的任何组合或衍生物。

4.如权利要求1所述的接合垫结构，其中所述表面区域的面积与所述至少三个粘合结构的总面积之比在3到1000的范围内。

5.如权利要求1所述的接合垫结构，还包括：

一个或多个装置栅极，每个装置栅极被形成在覆于衬底上面的栅极氧化物上方，其中所述一个或多个装置栅极和所述至少三个粘合结构由同一多晶硅层形成。

6.如权利要求5所述的接合垫结构，其中所述一个或多个装置栅极和所述至少三个粘合结构由同一多晶硅层形成，其中所述一个或多个装置栅极中的每个包括形成在其上方的装置氧化物，并且其中装置氧化物和第二氧化物由同一氧化物层形成。

7.一种接合垫结构，包括：

至少三个凹槽，布置在覆于衬底上面的氧化物层的表面区域内，所述至少三个凹槽中的每个凹槽包括一侧或多侧和底部，所述底部位于氧化物层的表面下方的一定深度，其中所述至少三个凹槽的每一个与至少三个凹槽的相邻凹槽在至少第一方向和第二方向上间隔开，其中所述第一方向和所述第二方向与所述氧化物层的表面区域平行；

粘合层，形成在所述至少三个凹槽的底部上方并且具有小于所述深度的厚度，其中所述粘合层包括多晶硅；

阻挡层，形成在所述表面区域上方并且在所述至少三个凹槽内，其中所述阻挡层在所述粘合层和所述氧化物层的所述表面区域上方形成并与所述粘合层和所述氧化物层的所述表面区域共形；和

共形金属层，形成在阻挡层上方并具有结构化的表面，其中所述结构化的表面与所述至少三个凹槽共形并包括在至少三个凹槽的相邻凹槽之间的阻挡层上方的共形金属层的表面水平，该表面水平大于在阻挡层上方并在所述至少三个凹槽内的共形金属层的表面水平。

8.如权利要求7所述的接合垫结构，其中所述阻挡层包括从由下面的材料组成的一组材料选择的材料：Ti、TiN、W、TiW、Ta、TaN、TiSiN、TaSiN、WN、Nb、Mo、MoN、Cr、Co、Ni、Pd、Pt以及这些材料的任何组合或衍生物。