[发明专利]用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的所述第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立所述第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中有针对性地至少部分地通过局部变化的光辐照(300)产生所述不均匀的横向温度分布。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述光辐照(300)包括用激光器进行辐照。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中通过光转向装置(400)和/或通过多个能彼此独立操控的光源(301)局部地改变所述光辐照(300)，以产生所述不均匀的横向温度分布。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中有针对性地至少部分地通过温度分布结构(7)产生所述不均匀的横向温度分布，所述温度分布结构具有至少一个温度分布结构元件(70)，所述温度分布结构元件引起生长的所述第一半导体层(1)的温度的局部升高或降低。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在生长衬底(6)上生长所述第一半导体层(1)，并且所述温度分布结构(7)设置在所述生长衬底(6)的背离所述第一半导体层(1)的一侧上。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中在生长衬底(6)上生长所述第一半导体层(1)，并且所述温度分布结构(7)设置在所述生长衬底(6)的朝向所述第一半导体层(1)的一侧上。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构(7)以与所述生长衬底(6)直接接触的方式设置。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构(7)从所述生长衬底(6)起观察借助保护层(8，9)覆盖，和/或在所述温度分布结构(7)和所述生长衬底(6)之间设置有保护层(8)。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构(7)嵌入到保护层(8，9)中。

11.根据权利要求5至10中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构(7)嵌入半导体层中和/或生长衬底(6)中。

12.根据权利要求5至11中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构(7)保留在制成的所述半导体芯片(100)中。

13.根据权利要求5至12中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构元件(70)具有吸收电磁辐射的材料。

14.根据权利要求5至13中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构元件(70)具有在生长衬底(6)中的凸出部和/或凹陷部。

15.根据权利要求5至14中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构元件(70)具有在生长衬底(6)中的凹陷部，在所述凹陷部中设置有与所述生长衬底(6)相比具有更小的热导率的热障材料。

16.根据权利要求5至15中任一项所述的方法，其中所述温度分布结构元件(70)具有在生长衬底(6)中的凸出部，所述凸出部引起到载体(200)的局部变化的热耦合，在所述载体上设置有所述生长衬底(6)。

17.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一半导体层(1)是波导层和/或有源层的至少一部分。

18.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述第一半导体层(1)上方生长至少一个第二半导体层(2)，并且在所述第二半导体层(2)中产生肋形波导(21)。

19.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一半导体层(1)是具有多个半导体层的半导体层序列的一部分。

20.一种借助于根据权利要求1至19中任一项所述的方法制造的半导体芯片(100)，所述半导体芯片具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的通过在生长工艺期间横向变化的温度分布引起的横向变化。