[发明专利]石英晶片研磨工艺有效
| 申请号: | 201710327945.8 | 申请日: | 2017-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN107042425B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 董振峰;董建峰;翟艳飞 | 申请(专利权)人: | 济源石晶光电频率技术有限公司 |
| 主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/04;B24B37/08 |
| 代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人: | 宋文龙 |
| 地址: | 454650 河南省焦作市济*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石英 晶片 研磨 工艺 | ||
本发明提供了一种石英晶片研磨工艺,具体包括以下步骤:提供一种研磨设备,该研磨设备中上研盘、下研盘、中心轮、内齿圈的传动比为1:5:3:1的研磨机;采用所述研磨机对石英晶片原片依次进行正向研磨和反向研磨。其中,正向研磨中所述游星轮的自旋转方向和下研盘的旋转方向相同,反向研磨中所述游星轮的自旋转方向和下研盘的旋转方向相反。该工艺使得经过上述研磨加工处理后的石英晶片的四点散差得到有效降低,同时减少了中心点波形中杂波和寄生片,从而提高了产品的成品率。
技术领域
本发明涉及石英晶片加工领域,具体的说,涉及了一种石英晶片研磨工艺。
背景技术
石英晶片在研磨加工过程中,通常会采用间隙式测频仪测量研磨处理的石英晶片的中心频率,若石英晶片的中心频率达到工艺要求的频率时研磨结束,若石英晶片的中心频率达不到工艺要求的频率时则需要继续研磨。虽然上述石英晶片频率测试方法具有操作步骤简单、测试精度高等优点,但还会出现因忽略石英晶片边沿四点的频率不满足工艺要求的情况,造成石英晶片在经后续腐蚀后出现频率分选单仓的集中度差,容易造成机分选频率误判;另一方面,若经过研磨处理后的石英晶片散差过大或平面度差还会导致石英晶片成品中寄生波严重,甚至会出现废品现象。
为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种能有效降低研磨石英晶片的单片散差值,能改善晶片平面度和抑制寄生波形的石英晶片研磨工艺。
为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种石英晶片研磨工艺,具体包括以下步骤:
提供一种研磨设备:该研磨设备包括上研盘、下研盘和设置在所述上研盘和所述下研盘之间的中心轮、内齿圈及具有对称结构的游星轮,所述游星轮啮合在所述中心轮和所述内齿圈之间,其中,所述上研盘、所述下研盘、所述中心轮、所述内齿圈的传动比为1:5:3:1;
正向研磨:首先根据公式一计算出正向研磨停止时的石英晶片正向研磨片的理论中心频率值,然后采用所述研磨设备对石英晶片原片进行正向研磨,直至经过正向研磨处理的所述石英晶片原片的实际中心频率值与所述理论中心频率值相等时,停止正向研磨,制得所述石英晶片正向研磨片,其中,在所述正向研磨步骤中,所述游星轮的自旋转方向和所述下研盘的旋转方向相同,所述石英晶片正向研磨片的理论中心频率计算公式为:
X=1660/{1660/Y+[(1.05-0.000005Y)/1000]} (公式一),
式中:X为石英晶片正向研磨片的理论中心频率,单位KHz;Y为石英晶片预设的达标中心频率,单位KHz;
反向研磨:首先根据公式二计算出反转研磨加工的理论研磨量值;然后采用所述研磨设备对所述石英晶片正向研磨片进行反向研磨直至反向研磨加工的实际研磨量值与所述理论研磨量值相等时,停止反向研磨,得到石英晶片研磨片成品;其中,在所述反向研磨步骤中,所述游星轮的自旋转方向和所述下研盘的旋转方向相反,反转研磨加工的理论研磨量计算公式为:
Z=(1.05-0.000005Y)/1000 (公式二)
式中:Z反转研磨加工的理论研磨量,单位mm;Y为石英晶片预设的达标中心频率,单位KHz。
基于上述,所述具有对称结构的游星轮为十二孔游星轮。
需要说明的是,本发明所提供的公式一和公式二是对大量的石英晶片原片依次正向研磨和反向研磨后,从大量的四点散差数据中选取能兼顾波形图的正向研磨和反向研磨拐点捏合所得的。
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