[发明专利]增加电介质常数的PLZT电容器和方法有效
| 申请号： | 201710325781.5 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107369555B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | R·S·泰勒;M·R·费尔柴尔德;U·巴拉钱德拉;T·H·李 | 申请（专利权）人： | 德尔福技术有限公司;U芝加哥阿尔贡股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增加 电介质 常数 plzt 电容器 方法 | ||
1.一种陶瓷电容器(10)，包括：
第一导电层(14)；
第二导电层(18)，其被布置成靠近第一导电层(14)；以及
电介质层(16)，介于所述第一导电层(14)和第二导电层(18)之间，所述电介质层(16)由锆钛酸铅镧材料PLZT形成，其中所述PLZT由在25摄氏度、零伏特偏压和一万赫兹(10kHz)的激发频率下测得的大于125的电介质常数来表征。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电容器(10)，其特征在于，所述电介质层(16)利用气溶胶喷雾工艺沉积。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电容器(10)，其特征在于，所述电介质层(16)的第一侧与所述第一导电层(14)直接接触，并且与所述第一侧相对的所述电介质层(16)的第二侧与所述第二导电层(18)直接接触。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电容器(10)，其特征在于，亚微米空气传播的PLZT颗粒的冲击速度生成所需的热量以使所述PLZT颗粒一经沉积到所述第一导电层(14)上就被烧结在一起。
5.一种用于增加锆钛酸铅镧材料PLZT的电介质常数的方法(20)，所述方法(20)包括：
沉积PLZT以形成陶瓷电容器(10)的电介质层(16)；并且
将陶瓷电容器(10)加热至不高于300℃的温度，
其中所述PLZT由在25摄氏度、零伏特偏压和一万赫兹(10kHz)的激发频率下测得的大于125的电介质常数来表征。
6.根据权利要求5所述的方法(20)，其特征在于，在10摄氏度和38摄氏度之间的沉积温度下执行所述沉积PLZT。
7.根据权利要求5所述的方法(20)，其特征在于，亚微米空气传播的PLZT颗粒的冲击速度生成所需的热量以使所述PLZT颗粒一经沉积到所述陶瓷电容器的导电层上就被烧结在一起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德尔福技术有限公司;U芝加哥阿尔贡股份有限公司，未经德尔福技术有限公司;U芝加哥阿尔贡股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710325781.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：复合电感器
- 下一篇：一种用于重频脉冲功率装置的高压陶瓷电容器外包封结构
