[发明专利]MEMS微驱动器及其制作方法有效
| 申请号: | 201710320971.8 | 申请日: | 2017-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN107128873B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 赵全亮;何广平;狄杰建;袁俊杰;宋维力;侯志灵;李明勇 | 申请(专利权)人: | 北方工业大学 |
| 主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00;H01H59/00 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;张杰 |
| 地址: | 100144 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mems 驱动器 及其 制作方法 | ||
1.一种MEMS微驱动器,包括:
衬底;
形成于所述衬底上的相互并联连接的第一传输部与第二传输部,其配置为同时接收并传输射频信号;
形成于由所述第一传输部与第二传输部围成的区域内的支撑层;
形成于所述支撑层上表面的下电极,其与驱动信号相连接;
形成于所述下电极上表面的驱动介质层;
形成于所述驱动介质层上表面的上电极,其与接地信号相连接;以及
形成于所述上电极上的第一开关触点与第二开关触点;
其中,所述驱动介质层被配置为:在由所述驱动信号与所述接地信号产生的电场的作用下发生弹性形变,以使得所述第一开关触点和第二开关触点分别与所述第一传输部和第二传输部相接触,从而停止所述射频信号的传输。
2.根据权利要求1所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述上电极包括固定区域、对应于所述第一开关触点的第一触点区域以及对应于所述第二开关触点的第二触点区域;
其中,所述上电极位于所述第一触点区域的部分与位于所述第二触点区域的部分分别延伸至所述第一传输部与第二传输部的上方;所述上电极位于所述固定区域的部分与所述驱动介质层的上表面固定连接。
3.根据权利要求2所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述第一开关触点与所述第二开关触点对称设置。
4.根据权利要求3所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述上电极包括构成T字型的横向电极和纵向电极,所述第一触点区域与第二触点区域分别位于所述横向电极的两端。
5.根据权利要求4所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述驱动介质层、所述下电极以及所述支撑层具有与所述上电极的固定区域相对应的T字型图案。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述第一传输部与所述第二传输部相互对称设置。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述驱动介质层为反铁电薄膜。
8.根据权利要求6所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述驱动介质层为反铁电薄膜。
9.根据权利要求7所述的MEMS微驱动器,其特征在于,在所述驱动介质层与所述上电极之间还设置有粘附层。
10.根据权利要求8所述的MEMS微驱动器,其特征在于,在所述驱动介质层与所述上电极之间还设置有粘附层。
11.根据权利要求7所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述反铁电薄膜的厚度为0.5-5μm。
12.根据权利要求8至10中任一项所述的MEMS微驱动器,其特征在于,所述反铁电薄膜的厚度为0.5-5μm。
13.一种MEMS微驱动器的制作方法,包括:
在衬底的上表面上形成第一薄膜材料层;
在所述第一薄膜材料层上形成反铁电膜层;
图案化所述第一薄膜材料层与所述反铁电膜层,以形成T字型下电极与T字型反铁电梁;
在所述衬底与所述反铁电梁上形成并图案化第二薄膜材料层,以形成第一传输部、第二传输部与T字型上电极;
在所述衬底的上表面上形成支撑层以及设定深度的窗口区域;
在所述T字型上电极上形成分别延伸至所述第一传输部与第二传输部的上方的第一触点区域与第二触点区域;
在所述衬底的下表面形成对应于所述窗口区域的镂空区域。
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