[发明专利]一种高温型电阻及其制备方法

权利要求书

1.一种高温型电阻，其特征在于，包括以下的重量份数的原料制备而成：高分子聚合物40-65份，炭黑25-50份，氢氧化银1-10份，硅烷偶联剂1-5份，对苯二酚0.1-2份，分散助剂0.01-0.1份。

2.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，包括以下重量份数的原料制备而成：高分子聚合物50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂1-3份，对苯二酚0.5-1份，分散助剂0.03-0.08份。

3.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种混合物。

4.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，所述分散助剂是二氧化锰，三氧化二锑，碳酸锂的混合物。

5.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，所述分散助剂是由以下重量份数的原料组成：二氧化锰40-60份，三氧化二锑40-60份，碳酸锂10-30份。

6.一种高温型电阻制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将所有粉料混合均匀，在一定配比的溶剂中研磨成纳米粉末；

S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200-250℃，混炼30-60分钟，压成薄片；

S3、将步骤2得到的薄片在1100-1400℃条件下烧结2-3小时，缓慢降温至100℃，保温1-2小时，自然冷却，得到半导体材料；

S4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。

7.S5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。

8.根据权利要求6所述的一种高温型电阻制备方法，其特征在于，所述一定配比的溶剂是由以下体积份数的原料组成：乙醇70-90份，甲苯5-10份，分散剂1-5份，塑化剂0.1-0.5份。

9.根据要求6所述的一种高温型电阻制备方法，其特征在于，所述分散剂是水解聚马来酸酐，聚乙烯，乙烯-丙烯酸共聚物的一种或多种混合物。

10.根据要求6所述的一种高温型电阻制备方法，其特征在于，所述塑化剂是邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯，邻苯二甲酸二辛酯，邻苯二甲酸二异癸酯的一种。