[发明专利]基于量子阱结构的光开关器件

权利要求书

1.一种基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：包括衬底(1)，衬底上生长缓冲层(2)，缓冲层上生长量子阱有源层；其中，量子阱有源层从上到下依次包括第一势垒层(8)、第一隔离层(7)、第一沟道层(6)、第二沟道层(5)、第二隔离层(4)和第二势垒层(3)。

2.根据权利要求1所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：第二沟道层为空穴阱或电子阱。

3.根据权利要求1所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：量子阱有源层上表面设有共面波导电极，包括第一电极(9)，第二电极(10)，第三电极(11)，第四电极(12)，第五电极(17)和第六电极(18)；

第三电极(11)和第四电极(12)与量子阱有源层上表面为欧姆接触，与第二沟道层连通，并与第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层通过绝缘层隔离。

4.根据权利要求1所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：光信号从器件上表面入射或器件下表面入射或同时从上、下表面入射。

5.根据权利要求1所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：第一沟道层(6)和第二沟道层(5)之间分布有光吸收夹层(21)。

6.根据权利要求3所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：第一电极(9)和第二电极(10)为叉指型电极结构。

7.根据权利要求4所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：光信号是单波长光信号，是一个调制光信号；或者是含有多个光波长的光信号，每个光波长的幅度和相位都可以被调制；或者是用于控制的光脉冲和被调制的光信号的拍频信号。

8.根据权利要求1所述的基于量子阱结构的光开关器件，其特征在于：器件的上表面和下表面设有增加光信号透过率的增透膜。