[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成氧化物有源层、源极和漏极；

所述源极和所述漏极均包括第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述氧化物有源层；

所述源极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第一金属层、第二透明导电层；所述第二透明导电层覆盖所述第一金属层；

所述漏极还包括位于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的第二金属层、第三透明导电层；所述第三透明导电层覆盖所述第二金属层；

其中，所述第一透明导电层位于所述源极和所述漏极之间的部分的导电性小于等于所述氧化物有源层的导电性；

形成氧化物有源层、源极和漏极，包括：

在所述衬底上，依次形成氧化物半导体薄膜、第一透明导电薄膜、金属薄膜、以及第二透明导电薄膜，并在所述第二透明导电薄膜上方形成光刻胶；

利用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶半保留部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应；

采用刻蚀工艺，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第二透明导电薄膜、所述金属薄膜、所述第一透明导电薄膜、以及所述氧化物半导体薄膜进行刻蚀，形成所述氧化物有源层；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；

采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述第二透明导电层、所述第三透明导电层、所述第一金属层、以及所述第二金属层；

对所述第一透明导电薄膜位于所述源极和所述漏极之间的区域的导电性进行处理，形成所述第一透明导电层；

所述第一金属层和所述第二金属层的材料均包括铜；所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层的材料均包括氧化铟锌；

对所述第一透明导电薄膜位于所述源极和所述漏极之间的区域的导电性进行处理，形成所述第一透明导电层，包括：

在所述第二透明导电层和所述第三透明导电层上方形成光刻胶；

利用掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全去除部分与所述源极和所述漏极之间的区域对应，所述光刻胶完全保留部分与其他区域对应；

采用氧气、笑气中的至少一种，对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述第一透明导电薄膜进行等离子体处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成氧化物有源层、源极和漏极，包括：

在衬底上，通过一次构图工艺形成所述氧化物有源层。

3.根据权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，

所述第一透明导电层中锌与铟的质量比范围为70：30～90：10，所述第二透明导电层和所述第三透明导电层中锌与铟的质量比为20：80～25：75。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用刻蚀工艺，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜和进行刻蚀，具体包括：

采用铜刻蚀速率大于氧化铟锌刻蚀速率的铜刻蚀液，对露出的所述第二透明导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度范围为20～50nm。