[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

形成有源层；

在所述有源层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述栅极上形成层间绝缘层以覆盖所述栅极和所述有源层，使得所述层间绝缘层与所述有源层之间的界面具有施主类缺陷态；

在所述层间绝缘层中形成过孔以暴露所述有源层；以及

在层间绝缘层上形成源极和漏极，使得所述源极和所述漏极分别通过所述过孔与所述有源层电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过退火工艺使所述有源层的与所述层间绝缘层接触的部分导体化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述层间绝缘层的步骤包括：

在所述栅极上沉积层间绝缘层的材料，使得形成的所述层间绝缘层中的氧含量低于标准化学计量比的氧含量，其中所述标准化学计量比的氧含量表示通过计算所述层间绝缘层的材料的化学组成得出的层间绝缘层中的氧含量。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述层间绝缘层的步骤包括：

在所述栅极上共沉积两种或更多种源以形成绝缘氧化物；

按照述绝缘氧化物的标准化学计量比，根据利用所述两种或更多种源反应生成所述绝缘氧化物的化学反应方程式计算所述两种或更多种源的供应量；

将所述两种或更多种源中的含氧量高的源的供应量控制为低于所计算的供应量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述层间绝缘层的步骤还包括：

在栅极上共沉积N₂O与SiH₄，其中N₂O与SiH₄之比为30：1或更低。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，N₂O与SiH₄之比为10：1或更低。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的方法，其中，通过改变沉积工艺的成膜参数来控制所述源的供应量。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其中，所述有源层包含铟镓锌氧化物。

9.一种薄膜晶体管，包括：

基底；

有源层，形成在所述基底上；

栅极绝缘层，形成在所述有源层上，覆盖所述有源层的一部分；

栅极，形成在所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，形成在所述栅极上，覆盖所述栅极和所述有源层；

源极和漏极，形成在所述层间绝缘层上，通过形成在所述层间绝缘层中的过孔电连接至所述有源层，

其中，所述层间绝缘层与所述有源层的界面具有施主类缺陷态。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中，所述施主类缺陷态包括氧空位。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘层包含绝缘氧化物，其中，所述绝缘氧化物中的氧含量低于按照所述绝缘氧化物的标准化学计量比计算的氧含量，其中按照所述绝缘氧化物的标准化学计量比计算的氧含量表示通过计算所述绝缘氧化物的化学组成得出的层间绝缘层中的氧含量。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘层通过共沉积N₂O与SiH₄来形成，其中N₂O与SiH₄之比为30：1或更低。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，N₂O与SiH₄之比为10：1或更低。

14.根据权利要求9至12中的任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包含铟镓锌氧化物。