[发明专利]制造半导体器件的方法和裸芯片在审
| 申请号： | 201710267242.0 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107393808A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 约尔格·奥特纳;约翰·库柏 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 李春晖,李德山 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 芯片 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在晶片上设置结构化层；以及
在所述结构化层的选定部分上选择性地设置物质。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述结构化层包括掩膜层，所述掩膜层选自包括正性抗蚀剂掩膜、负性抗蚀剂掩膜、氧化物掩膜和氮化物掩膜的一个组。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述晶片去除所述结构化层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在设置所述物质时，所述物质选自液体、液体中的悬浮体、浆料以及这些物质的任意组合或衍生物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述物质包括金属。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括使所述物质烧结。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括使所述物质硬化。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，使所述物质硬化包括使所述物质固化。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括使所述物质交联。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述物质来补充所述晶片的选定部分处的电路元件结构。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述晶片包括多个半导体器件结构，并且所述电路元件结构形成所述多个半导体器件结构中之一的一部分。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述电路元件结构形成晶片测试电路结构的一部分。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地设置所述物质包括在所述结构化层的所述选定部分处用所述物质使电路元件钝化。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述物质包括墨，并且其中，选择性地设置所述物质包括将所述墨喷墨印刷到所述晶片的选定部分上。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶片的选定部分上选择性地设置所述物质包括在所述晶片上编码信息。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个半导体器件结构形成相对应的多个集成电路的一部分。
17.一种裸芯片，包括：
衬底上的半导体器件，其中，所述半导体器件包括物质，并且其中，所述物质具有相对于所述衬底的底表面或顶表面中的一个或更多个陡峭的侧壁。
18.根据权利要求17所述的裸芯片，其中，所述物质是导电的并且配置所述半导体器件的元件。
19.根据权利要求18所述的裸芯片，其中，所述元件包括构造性熔断器元件。
20.根据权利要求19所述的裸芯片，其中，所述半导体器件包括多个熔断器元件，所述多个熔断器元件被布置在包括所述构造性熔断器元件的熔断器组中。
21.根据权利要求18所述的裸芯片，其中，所述导电物质被介电物质覆盖。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710267242.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
