[发明专利]PIN单元器件及其制备方法和指纹识别传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种PIN单元器件，其特征在于，应用在包括氧化物薄膜晶体管的指纹识别传感器中，包括：下部电极、设置在所述下部电极上的p型重掺杂和设置在所述p型重掺杂上的本征层、设置在所述本征层上的氧化物半导体层、设置在所述氧化物半导体层上的上部电极，以及保护层；所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物IGZO；其中，

氧化物半导体层为n型重掺杂层N+层；

所述下部电极与氧化物薄膜晶体管的门电极通过同一次半色调掩膜工艺形成；

所述氧化物半导体层与氧化物薄膜晶体管的有源层通过同一次工艺形成；所述IGZO在等离子体化学气相沉积中经过氢气等离子处理，电阻率小于或等于10000；

所述上部电极与氧化物薄膜晶体管的遮光层通过同一次工艺形成。

2.根据权利要求1所述的PIN单元器件，其特征在于，所述IGZO为厚度为400埃的重掺杂N层。

3.一种指纹识别传感器，其特征在于，包括权利要求1～2任一项所述的PIN器件单元。

4.一种指纹识别传感器的制备方法，其特征在于，所述指纹识别传感器包括PIN器件单元和氧化物IGZO薄膜晶体管，制备方法包括：

以溅射技术连续沉积ITO、金属薄膜Mo并经过半色调掩膜工艺，湿法刻蚀得到所需图形，其中，Mo图形作为IGZO薄膜晶体管TFT门Gate图形，ITO图形作为PIN器件单元的下部电极；

以等离子体化学气相沉积PECVD技术沉积出二氧化硅SiO₂作为TFT的GI层，经过光刻，干法刻蚀得到所需的图形；

以溅射技术沉积IGZO，经过光刻，湿法刻蚀工艺得到所需图形,一部分图形作为TFT有源Active层，另一部分图形作为PIN器件单元的N+层；

以溅射技术沉积MoNb/Cu/MoNb作为SD，经过光刻，湿法刻蚀得到所需图形；

以PECVD技术沉积SIO₂作为TFT钝化层PVX，经过光刻，干法刻蚀得到所需图形；

将IGZO在等离子体化学气相沉积中进行氢气等离子处理，使得IGZO的电阻率小于或等于10000；

以PECVD技术沉积p型重掺杂和本征层；

以溅射技术沉积Mo，经过光刻，湿法刻蚀后，得到所需的图形，一部分图形作为TFT的遮光层，另一部分作为PIN器件单元的上部电极。