[发明专利]一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法及应用

权利要求书

1.一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，该方法包括：通过在LED芯片外延结构施加载荷、形成图形化，进而提高LED光提取效率。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，所述一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，具体包括：对固定的LED芯片外延结构按照预设的载荷参数及图形形状尺寸施加载荷。

3.根据权利要求2所述的一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，所述固定的LED芯片外延结构是指对LED芯片进行固定制备：利用固化胶将所述LED芯片固定设置在样品台。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，在对LED芯片外延结构施加载荷之前，调节所述样品台高度：使得待加工LED芯片成像清晰。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，在所述LED芯片外延结构上施加载荷且形成图形后，对所述LED芯片进行清洗并吹干。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，所述LED芯片外延结构施加载荷形成的图形，包括周期性点阵图形和/或周期性划痕图形。

7.根据权利要求1所述的一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，利用压头对所述LED芯片外延结构施加载荷，所述压头包括：玻氏压头、维氏压头、立方角压头、球形压头、锥形压头；所述压头的材质包括：金刚石、Al₂O₃、碳化硅、氮化镓、氮化铝、高速钢、模具钢、合金钢。

8.如权利要求1-7任意一项所述所述的方法的应用：该方法的适用对象包括：GaAs基和GaN基的三元、四元组分的LED芯片各层外延结构、有机发光二极管OLED。

9.如权利要求1-7任意一项所述所述的方法的应用：该方法的适用对象包括：正装、倒装、垂直工艺或薄膜工艺的LED芯片和/或外延片。