[发明专利]一种基于耦合米氏共振的超表面完全吸收体及其制备方法

权利要求书

1.一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体，其特征在于：包括：SiO₂衬底，所述SiO₂衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO₂衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。

2.如权利要求1所述的一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体，其特征在于：所述多孔阵列结构的孔的高度、所述Si层的厚度以及所述Cr层的厚度三者相同。

3.如权利要求1所述的一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体，其特征在于：所述多孔阵列结构的周期为250±5nm，所述多孔阵列结构的孔的高度为67±5nm，孔的直径为160±5nm。

4.如权利要求3所述的一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体，其特征在于：所述Si层的厚度为67±5nm，所述Cr层的厚度为67±5nm。

5.如权利要求1所述的一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体，其特征在于：入射角的范围为0°至70°。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体的制备方法，其特征在于：包括：在SiO₂衬底上形成掩膜板；利用掩膜板刻蚀所述SiO₂衬底的上表面以形成多孔阵列结构；去除残留的掩膜板；依次沉积Si层和Cr层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：在SiO₂衬底上形成掩膜板的步骤包括：将光刻胶旋涂在SiO₂衬底上，然后，利用双光束干涉曝光法将光刻胶层光刻成形为多孔阵列结构，将显影后的光刻胶图层作为掩膜版。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述刻蚀的方法为反应离子束刻蚀，去除残留的掩膜板的方法为在丙酮中的超声清洗，沉积Si层和Cr层的方法均为磁控溅射法。