[发明专利]一种磁性隧道结的平坦化方法有效
| 申请号： | 201710224992.X | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108695431B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈峻;麻榆阳;张云森;郭一民;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 平坦 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对磁性记忆层中的铁钴硼层进行平坦化处理的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.制备包括一层非晶态铁钴硼层的磁参考层多层膜；
S2.用低能离子或等离子对非晶态铁钴硼表面进行轰击；
S3.继续隧道势垒层和磁性记忆层生长；
S4.用低能离子或等离子对磁性记忆层的非晶态铁钴硼表面进行轰击；
S5.继续并完成STT-MRAM中剩余的其他多层膜生长；
S6.最后对生长完成的STT-MRAM磁性隧道结多层膜进行高温退火，使平坦化的铁钴硼层和其邻近的MgO隧道结彻底晶化，形成体心立方晶体结构，得到最大的磁电阻性能和最佳的磁稳定性。
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