[发明专利]一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜有效

专利信息
申请号: 201710224439.6 申请日: 2017-04-07
公开(公告)号: CN108695014B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 刘萍;王亚雄;曾葆青;刘黎明;杨健君 申请(专利权)人: 电子科技大学中山学院
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528402*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 制备 方法 复合 透明 导电 薄膜
【权利要求书】:

1.一种铜纳米线复合透明导电薄膜,其特征在于,所述铜纳米线制备方法的初始原料为水、十八烷基胺、金属铜盐和维生素C,所述铜纳米线透明导电薄膜由上至下依次包括上聚甲基丙烯酸甲酯层、铜纳米线层、下聚甲基丙烯酸甲酯层和透明基底;

所述铜纳米线的制备方法包括以下步骤:

(1)将十八烷基胺、金属铜盐、维生素C混合于水中,在常温下密封磁力搅拌1-12小时得到混合物悬浊液;

(2)将混合物悬浊液倒入到反应容器内,混合物悬浊液约占反应容器容积的2/3,升温至100-140摄氏度,反应4-48小时,自然冷却至室温;

(3)将反应后的混合物悬浊液,使用去离子水、异丙醇离心清洗后得到铜纳米线沉淀物;

(4)将离心洗涤的铜纳米线沉淀物分散在溶剂中,得到铜纳米线分散液;

所述铜纳米线复合透明导电薄膜的制备步骤包括:

a将铜纳米线分散液倒入到含有弱酸或稀盐酸的去离子水中,超声或者搅拌0.5-5分钟,运用真空抽滤将铜纳米线均匀沉积在微孔滤膜上,自然或真空干燥制得铜纳米线/微孔滤膜;

b洗净一片透明基底,将基底放于离心机上,旋涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液,得到聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底;

c将铜纳米线/微孔滤膜中的铜纳米线的一面,与聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底中的聚甲基丙烯酸甲酯的一面紧靠在一起,并在纵向施加一定压力使微孔滤膜上的铜纳米线嵌入到聚甲基丙烯酸甲酯层中,得到微孔滤膜/铜纳米线/聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底;

d待微孔滤膜/铜纳米线/聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底干燥后,剥去微孔滤膜,得到铜纳米线/聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底;

e将铜纳米线/聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底放置于离心机上,旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯溶液,得到聚甲基丙烯酸甲酯/铜纳米线/聚甲基丙烯酸甲酯/透明基底。

2.根据权利要求1所述的一种铜纳米线复合透明导电薄膜,其特征在于,所述的金属铜盐为氯化铜、二水氯化铜、硫酸铜、五水硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种铜纳米线复合透明导电薄膜,其特征在于,所述的反应容器为反应釜、电压力锅、汤锅或烧杯,所述步骤(4)中使用的溶剂为水、无水乙醇、异丙醇、正己烷、正乙烷中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种铜纳米线复合透明导电薄膜,其特征在于,所述加入到去离子水中的弱酸为冰乙酸、乳酸、碳酸中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种铜纳米线复合透明导电薄膜,其特征在于,所制备铜纳米线复合透明导电薄膜透光率为40%-90%,方块电阻值为5-200Ω/cm2,表面粗糙度为15-100nm。

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