[发明专利]磁控溅射设备及磁控溅射沉积方法

权利要求书

1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括第一腔室和第二腔室；

所述第一腔室和所述第二腔室均包括磁控管和偏置磁场装置；

所述偏置磁场装置用于在各自承载基片的卡盘表面形成水平磁场，该水平磁场用于在基片上沉积具有面内各向异性的磁性膜层；

所述磁控管包括磁性相反的内磁极和外磁极；

所述第一腔室和所述第二腔室的偏置磁场装置产生的水平磁场的磁场方向相同，所述磁控管产生的磁场方向相反；或者

所述第一腔室和所述第二腔室的偏置磁场装置产生的水平磁场的磁场方向相反，所述磁控管产生的磁场方向相同；其中，

所述第一腔室和所述第二腔室的磁控管的内磁极和外磁极均为环形磁极；

所述内磁极设置在所述外磁极的环形空间内，且在各个位置处二者的间隙相等；并且，

所述第一腔室和所述第二腔室的偏置磁场装置均包括环绕所述卡盘设置的磁体组；

所述磁体组包括两段呈圆弧状的磁体，二者对称环绕在所述卡盘的两侧，且其中一段磁体N极与其中另一段磁体中的S极均朝向所述卡盘。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一腔室和所述第二腔室的磁控管均沿旋转轴进行旋转，用于对靶材表面进行扫描，且所述旋转轴与靶材的中心在同一直线上。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一腔室和所述第二腔室的磁控管均固定设置。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一腔室和所述第二腔室的数量为多个，且二者数量相同；

所述磁控溅射设备还包括传输腔室和位于所述传输腔室内的机械手；

多个所述第一腔室和多个所述第二腔室围绕所述传输腔室交替间隔设置，且均与所述传输腔室相连通；

所述机械手用于在所述传输腔室、所述第一腔室和所述第二腔室之间传输基片。

5.一种磁控溅射沉积方法，其特征在于，采用权利要求1-4任意一项所述的磁控溅射设备，所述磁控溅射沉积方法包括以下步骤：

S1，将基片传输至所述第一腔室内，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；

S2，将所述基片传输至所述第二腔室内，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；

执行上述步骤S1～S2至少一次。

6.根据权利要求5所述的磁控溅射沉积方法，其特征在于，所述第一厚度等于第二厚度。