[发明专利]阵列基板及其制造方法、触控面板和触控装置有效
| 申请号: | 201710217742.3 | 申请日: | 2017-04-05 |
| 公开(公告)号: | CN106935598B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
| 发明(设计)人: | 简守甫;夏志强;曹兆铿;王一明 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
| 地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 面板 装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
栅极金属层,位于所述衬底基板的一侧;
有源层,位于所述栅极金属层远离所述衬底基板的一侧,所述有源层和所述栅极金属层之间设置有栅极绝缘层;
像素电极层,位于所述有源层远离所述栅极金属层的一侧,且所述像素电极层覆盖所述有源层的一侧面,所述像素电极层包括多个像素电极单元和多条虚拟引线;
源漏金属层,位于所述像素电极层远离所述有源层的一侧,每个所述像素电极单元包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分为一个整体,所述第一部分位于所述源漏金属层和所述有源层之间,且与所述源漏金属层的漏极、所述有源层直接接触;
公共电极层,设置在所述源漏金属层远离所述像素电极层的一侧,所述公共电极层与所述源漏金属层之间还设置有钝化绝缘层,所述第二部分位于所述钝化绝缘层和所述栅极绝缘层之间,且与所述钝化绝缘层、所述栅极绝缘层直接接触;
所述源漏金属层包括多条信号线,其中,所述多条信号线包括多条触控引线和多条数据线;
所述多条信号线与所述多条虚拟引线的形状相同;
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述源漏金属层中所述多条信号线的正投影与所述像素电极层中所述多条虚拟引线的正投影完全重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述源漏金属层的正投影区域位于所述像素电极层的正投影区域中。
3.一种触控面板,其特征在于,包括如权利要求1或2所述的阵列基板。
4.一种触控装置,其特征在于,包括如权利要求3所述的触控面板。
5.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的一侧形成栅极金属层;
在所述栅极金属层远离所述衬底基板的一侧依次沉积栅极绝缘层、有源层、第一膜层和第二膜层,得到相邻且接触的有源层、第一膜层和第二膜层;
涂覆光刻胶,并采用半色调掩膜版进行曝光及显影处理;
进行刻蚀工艺以在所述第二膜层形成源漏金属层;并在所述第一膜层中形成像素电极层,其中,所述源漏金属层包括多条信号线,所述多条信号线包括多条触控引线和多条数据线;
所述像素电极层覆盖所述有源层的一侧面,所述像素电极层包括多个像素电极单元和多条虚拟引线;
每个所述像素电极单元包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分为一个整体;
所述第一部分位于所述源漏金属层和所述有源层之间,且与所述源漏金属层的漏极、所述有源层直接接触;
所述第二部分位于所述栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧,且与所述栅极绝缘层直接接触;
在所述源漏金属层远离所述像素电极层的一侧依次沉积钝化绝缘层和公共电极层,所述第二部分位于所述栅极绝缘层和所述钝化绝缘层之间,且与所述钝化绝缘层直接接触;
其中,所述光刻胶的不曝光区域对应所述源漏金属层中的多条信号线区域,以及所述源漏金属层中的漏极区域,并且,在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上,所述源漏金属层中的多条信号线的正投影与所述像素电极层中的多条虚拟引线的正投影完全重叠且形状、大小均一致;
所述光刻胶的部分曝光区域对应所述第二部分;
所述光刻胶的完全曝光区域对应其余区域。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,
在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上,所述源漏金属层的正投影区域位于所述像素电极层的正投影区域中。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





