[发明专利]具有独特短路保护的功率输出级

权利要求书

1.一种具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，包括：

差分输入单元,包括第一差分对管、第二差分对管、一镜像电流源电路、一第一电阻、一第二电阻，镜像电流源电路与第二差分对管耦接而成为第二差分对管的负载，第一差分对管的发射极与第二差分对管的基极之间分别对称耦接所述第一电阻、所述第二电阻，第一差分对管、第二差分对管耦接偏置电流源，第一差分对管耦接一基准电压和一采样电压，第一差分对管、第二差分对管依据所述基准电压以及所述采样电压以产生第一输出信号，并将所述第一输出信号经第二差分对管的集电极送至中间放大单元；

所述中间放大单元与第二差分对管的集电极耦接，所述中间放大单元内设有具有放大功能的达林顿管，达林顿管接收所述第一输出信号并依据第一输出信号放大以产生一第二输出信号；

功率输出单元，与所述中间放大单元耦接，受控于所述第二输出信号的驱动且依据第二输出信号放大并输出一输出电压；

采样单元，与功率输出单元耦接，对所述输出电压进行分压以产生所述采样电压，并将所述采样电压输出至所述差分输入单元。

2.如权利要求1所述的具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，差分输入单元进一步包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，其中，所述第一晶体管、第二晶体管组成所述第一差分对管，第三晶体管、第四晶体管组成第二差分对管，第五晶体管、第六晶体管构成所述镜像电流源电路。

3.如权利要求2所述的具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，偏置电流源包括第一偏置电流源、第二偏置电流源、第三偏置电流源，第二偏置电流源与第三偏置电流源大小相等或者不相等，第一偏置电流源、第二偏置电流源、第三偏置电流源均与电源端耦接，第一偏置电流源为第二差分对管提供偏置电流，第二偏置电流源和第三偏置电流源为第一差分对管提供偏置电流。

4.如权利要求3所述的具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，

所述第一晶体管的发射极与第三晶体管的基极之间耦接一所述第一电阻，第一晶体管的基极耦接所述基准电压，所述第一晶体管的发射极、第三晶体管的基极与所述第二偏置电流源耦接；

所述第二晶体管的发射极与第四晶体管的基极之间耦接一所述第二电阻，第二晶体管的基极耦接所述采样电压，所述第二晶体管的发射极、第四晶体管的基极与所述第三偏置电流源耦接；

所述第三晶体管的发射极、第四晶体管的发射极与所述第一偏置电流源耦接，所述第三晶体管的集电极和第四晶体管的集电极分别与所述第五晶体管的集电极、第六晶体管的集电极对应耦接，所述第五晶体管的发射极、第六晶体管的发射极、第一晶体管的发射极、第二晶体管的发射极均耦接接地电压，所述第五晶体管的基极与第六晶体管的基极耦接，第三晶体管的集电极分别与所述第五晶体管的基极与第六晶体管的基极耦接；

所述第六晶体管的集电极与中间放大单元耦接。

5.如权利要求4所述的具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，所述中间放大单元还包括一与所述达林顿管耦接的一防自激回路，所述防自激回路与所述第六晶体管的基极、达林顿管的基极、达林顿管的集电极耦接，所述达林顿管的集电极与所述功率输出单元耦接，所述达林顿管的发射极耦接接地电压。

6.如权利要求5所述的具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，所述达林顿管是依次连接的第七晶体管、第八晶体管构成的同极型达林顿三极管，第七晶体管、第八晶体管为NPN型三极管，第七晶体管的发射极与接地电压之间串连接一电阻。

7.如权利要求6所述的具有独特短路保护的功率输出级，其特征在于，所述功率输出单元包括一第九晶体管、一上偏置电阻、一下偏置电阻、一输出端，所述第九晶体管的发射极与所述电源端耦接，所述上偏置电阻、所述下偏置电阻串联于所述第九晶体管的发射极与所述第七晶体管、第八晶体管的集电极之间，所述第九晶体管的基极耦接于上偏置电阻与所述下偏置电阻之间，所述第九晶体管的集电极与所述采样单元耦接，所述输出端自第九晶体管的集电极引出。