[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在图形化蓝宝石衬底上生长低温二维层，所述低温二维层的生长温度为540℃；

控制生长温度为1060℃，生长压力为600torr，在所述低温二维层上生长厚度为1μm的高温高压三维层，所述高温高压三维层用于填平所述图形化蓝宝石衬底的表面图形之间的空间；

控制生长温度为1010℃，生长压力为200torr，在所述高温高压三维层上生长厚度为0.8μm的低温低压三维层，所述低温低压三维层用于将所述高温高压三维层中相邻的核合并，所述低温低压三维层的生长速率比所述高温高压三维层的生长速率慢；

在所述低温低压三维层上依次生长未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述低温二维层的厚度为25nm。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述在图形化蓝宝石衬底上生长低温二维层之前，所述制造方法还包括：

在所述图形化蓝宝石衬底上生长氮化铝层。