[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

提供背极板，所述背极板包括相对的第一面和第二面，所述背极板包括功能区和包围所述功能区的支撑区；

在所述背极板第一面上形成支撑层；

在所述支撑层上形成振片膜，所述振片膜的机械强度大于背极板的机械强度，所述功能区振片膜中具有振片孔，所述振片孔贯穿所述振片膜，所述振片孔为圆孔，所述振片孔的直径大于0.2μm；相邻振片孔之间的间距为20μm～100μm；

形成所述振片膜之后，对所述功能区背极板第二面进行减薄处理，使所述背极板形成背极膜；

形成背极膜之后，去除所述功能区的支撑层，在所述支撑区的背极膜和振片膜之间形成支撑件；

其中，形成所述振片膜的步骤包括：在所述支撑层上形成初始振片膜；对所述初始振片膜进行第一图形化处理，形成振片膜和位于所述振片膜中的振片孔；

所述初始振片膜的材料为石墨烯；

形成所述初始振片膜的步骤包括：在所述支撑层上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成初始振片膜；在所述初始振片膜上形成覆盖层；形成覆盖层之后，去除所述牺牲层，使所述初始振片膜转移到所述支撑层表面；去除所述牺牲层之后，去除所述覆盖层。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述振片膜的厚度为90nm～110nm。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为铜，形成所述牺牲层的工艺包括物理气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，形成所述初始振片膜的工艺包括化学气相沉积工艺，形成所述初始振片膜的工艺参数包括：反应气体包括氢气和甲烷，氢气与甲烷的流量之比值为14～16；射频功率为900W～1100W，压强为45mtorr～55mtorr。

5.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯，形成所述覆盖层的工艺包括旋涂工艺。

6.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层，使所述初始振片膜转移到所述支撑层表面的步骤包括：通过刻蚀液对所述牺牲层和初始振片膜进行浸泡处理。

7.如权利要求6所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述刻蚀液包括：过硫酸铵或氯化铁溶液。

8.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述第一图形化处理之后，还包括：形成覆盖振片膜和所述振片孔侧壁的保护层。

9.如权利要求8所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅或氮化硅；所述保护层的厚度为1000埃～10000埃。

10.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，所述减薄处理使所述功能区背极板第二面中形成背腔。

11.如权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，减薄处理之后，还包括：对所述功能区背极膜进行第二图形化处理，在所述功能区背极膜中形成背极孔，所述背极孔贯穿所述背极膜；

或者，形成所述振片膜之前，还包括：对所述功能区背极板第一面进行第二图形化处理，在所述功能区背极板第一面中形成背极孔；所述减薄处理使所述背极孔贯穿所述背极膜。