[发明专利]晶圆级芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括芯片单元，其具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面布置至少一个用于电连接的焊窗；所述第二表面设置与焊窗连接的TSV结构，所述TSV结构包括贯穿第一表面和第二表面的通孔和在第二表面设置的开槽，开槽的边界距离第二表面的边缘大于10um。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊窗的边界与第一表面边缘的距离L满足关系式

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述芯片单元的第二表面上设有至少一个焊盘，焊窗和焊盘通过形成在所述通孔壁、开槽底壁、开槽侧壁和第二表面的布线电性导通。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述开槽为一级或多级梯形槽。

5.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1：在芯片单元的第一表面布置焊窗，使得所述焊窗与第一表面边缘的距离L满足关系式

S2：在芯片单元的第二表面形成梯形槽，开槽的底壁在第一表面上的投影覆盖所述焊窗，开槽的边界距离第二表面边缘大于10um；

S3：在所述开槽内形成贯通焊窗和开槽底壁的通孔，使得所述通孔连接焊窗；

S4：在所述通孔壁、开槽底壁、开槽侧壁和第二表面形成布线，该布线电性连通焊窗和焊盘。

6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述开槽侧壁的高宽比k约等于2.75。

7.根据权利要求5所述晶圆级芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述梯形槽为一级或多级梯形槽。