[发明专利]一种复合稀土永磁薄膜、其制备方法及其应用器件

权利要求书

1.一种复合稀土永磁薄膜，其特征在于，所述薄膜包括衬底和生长在衬底之上的稀土永磁薄膜，其中所述衬底为形状记忆合金；

所述稀土永磁薄膜的化学组成为Re_x(Fe_yTM_1-y)_zB_1-x-z，其中Re是稀土元素中的至少一种，TM是Co、Nb、Ga、V、Mo、Zr、Cr、W、Ni、Al、Cu、Ti或Si中的至少一种，x＝0～99.9at％，y＝80～100at％，z＝50～90at％；

所述薄膜在与衬底的界面处存在0.5％的晶格应变；

薄膜的厚度为100～500nm。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述衬底是具有马氏体相变特征的形状记忆合金，形状记忆合金为Ni基、Cu基、Fe基合金。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，所述形状记忆合金室温下为马氏体晶体结构，具有1％～15％的塑性变形能力。

4.一种权利要求1-3任一项所述薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用磁控溅射、真空蒸镀、电沉积、物理气相沉积或化学气相沉积对衬底进行生长薄膜处理，生长出所述的稀土永磁薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在对衬底进行生长薄膜处理之前，将衬底预制形变；

所述预制形变为对衬底进行拉伸或者压缩变形；

所述变形的变形量0.5％～15％。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述变形的变形量为1％～10％。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在对衬底完成生长薄膜处理之后，进行热处理；

所述热处理包括以下步骤：将生长在衬底上的稀土永磁薄膜置于真空或者惰性气体中，并在衬底的逆马氏体相变开始温度以上不超过300℃温度保温0.1～5小时。

8.一种稀土类稀土永磁薄膜器件，其特征在于，所述器件由权利要求1-3任一项所述的稀土永磁薄膜为原料加工制作而成。