[发明专利]释放负氧离子的抗菌陶瓷砖及其制备方法在审
| 申请号： | 201710128603.3 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107043249A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 袁国栋;乔栓虎;陈世伟 | 申请（专利权）人： | 山东统一陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B41/86 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司37212 | 代理人： | 任永哲,马俊荣 |
| 地址： | 255185 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 释放 离子 抗菌 陶瓷砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种释放负氧离子的抗菌陶瓷砖，包括坯体和釉层，其特征在于：
坯体原料成分如下，以重量份数计：
釉层由如下重量百分比的原料制成：
以上原料总质量为100％计，还包括释放负氧离子的抗菌陶瓷釉料添加剂2-8％。
2.根据权利要求1所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖，其特征在于所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷釉料添加剂由如下重量百分比的原料制成：
独居石 70-80％
托玛琳 20-30％。
3.根据权利要求1所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖，其特征在于所述的熔块的组成如下，以重量百分比计：R2O4.1％，CaO4.1％，BaO1.5％，ZnO6.2％，PbO0.50％，AL2O3 8.5％，B2O3 2.7％，SiO2 67.4％，ZrO2 0.8％，其中R2O为Na2O和K2O之和。
4.一种权利要求1-3任一所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖的制备方法，其特征在于步骤如下：
(1)坯体制备：将坯体原料经球磨制成浆料，并搅拌均匀待用；将待用的浆料经喷雾干燥工序后加工成粉料，粉料经压力机压制成型，烘干后制成坯体；
(2)釉料制备及施釉：将釉层原料研磨制成釉浆，在烘干后的坯体表面上施釉；
(3)产品烧成：将表面施釉后的坯体放入辊道窑中进行烧制，出窑后制成成品。
5.根据权利要求4所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述的浆料的细度为250目筛余量为1.0-1.5％。
6.根据权利要求4所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述的粉料的含水量为7.5-8.5wt％。
7.根据权利要求4所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述的研磨时间为15-25小时。
8.根据权利要求4所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述的烧制温度为1100-1200℃。
9.根据权利要求4所述的释放负氧离子的抗菌陶瓷砖的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述的烧制周期为50-90分钟。
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