[发明专利]三氧化二钛及其制备工艺和应用有效
| 申请号： | 201710123082.2 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106830066B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吴恩辉;李军;侯静;黄平;赖奇;刘黔蜀;徐众 | 申请（专利权）人： | 攀枝花学院 |
| 主分类号： | C01G23/04 | 分类号： | C01G23/04 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 柯海军;武森涛 |
| 地址： | 617000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 及其 制备 工艺 应用 | ||
1.三氧化二钛的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
a、将二氧化钛与硅粉，按照重量比1:0.25～0.5混合，成型，得到成型物料；
b、将硅粉覆盖在a步骤得到的成型物料表面，在空气气氛中加热至1400～1500℃，保温5～25min，冷却，球磨，得到还原产物；
c、按照固液比1:7～10g/mL，向b步骤得到的还原产物中加入碱液，在70～90℃下碱浸60～120min，过滤，即得。
2.根据权利要求1所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：所述二氧化钛与硅粉按重量比1:0.25～0.4混合。
3.根据权利要求1所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：所述二氧化钛与硅粉按重量比1:0.3混合。
4.根据权利要求1所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：二氧化钛的粒度＜10μm，杂质含量＜1wt％；硅粉的粒度＜10μm，杂质含量＜1wt％。
5.根据权利要求1～4任一项所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：a步骤中成型采用压制成型或滚动成型，成型物料为块状或球状。
6.根据权利要求1所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：b步骤中硅粉覆盖厚度为0.5～1cm。
7.根据权利要求6所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：b步骤中硅粉覆盖厚度为0.5cm。
8.根据权利要求1～3、6任一项所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：b步骤中加热采用电加热、气体燃烧加热、微波加热中的至少一种。
9.根据权利要求1所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：b步骤中冷却采用在氩气气氛下或者石墨粉中进行冷却。
10.根据权利要求9所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：b步骤中冷却采用在石墨粉中进行冷却。
11.根据权利要求1所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：c步骤中碱液为氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一种。
12.根据权利要求11所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：c步骤中碱液为氢氧化钠。
13.根据权利要求11或12所述三氧化二钛的制备工艺，其特征在于：氢氧化钠浓度为4～6mol/L。
14.权利要求1～13任一项所述制备工艺制备得到的三氧化二钛，其特征在于：所述三氧化二钛的粒度＜20μm，纯度＞95％。
15.权利要求14所述制备工艺制备得到的三氧化二钛，其特征在于：所述三氧化二钛的粒度为10～15μm。
16.权利要求14或15所述三氧化二钛在镀膜材料、充电电池电极材料、掺钛蓝宝石材料领域中的应用。
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