[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：

a)使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上，使该暂时粘着层覆盖该晶圆的影像感测区；

b)蚀刻该晶圆，使得该晶圆形成多个晶片与该多个晶片间的多个间隙；

c)形成布线层、绝缘层与球栅阵列于该晶圆相对该第一表面的第二表面上；

d)将该晶圆的该第二表面贴附于框体上的紫外光胶带，并移除该载板，其中该暂时粘着层的面积大于该晶圆的面积，使得该暂时粘着层凸出于该晶圆；

e)使用刀具切割该暂时粘着层对齐该多个间隙的位置，使得切割后的多个暂时粘着层分别凸出于该多个晶片，其中该刀具的宽度小于每一该多个间隙的宽度；以及

f)照射紫外光于该紫外光胶带，使该紫外光胶带的粘性消失。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤a)还包含：

研磨该晶圆的该第二表面，使该晶圆的厚度减薄。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤b)还包含：

蚀刻该晶圆，使得该晶圆形成多个凹孔，其中该布线层至少部分位于该多个凹孔中。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

从该紫外光胶带取下该多个晶片与该多个暂时粘着层；以及

从该多个晶片的边缘撕下该多个暂时粘着层。