[发明专利]一种摄像头模组及其制作方法在审
| 申请号: | 201710096767.2 | 申请日: | 2017-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN108461510A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
| 发明(设计)人: | 任晓黎 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;王花丽 |
| 地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 保护盖 摄像头模组 第一区域 平面的 光学传感芯片 光学透镜结构 中心点 平面垂直 同一直线 制作 | ||
1.一种摄像头模组,其特征在于,所述摄像头模组包括:保护盖和光学传感芯片;其中:
所述保护盖的第一平面的第一区域处设置有光学透镜结构,所述保护盖与所述光学透镜结构是一体的;
所述光学传感芯片,设置在所述保护盖的第二平面的第一区域;其中,所述第二平面是所述保护盖上与所述第一平面相对的面,所述第一平面的第一区域的中心点与所述第二平面的第一区域的中心点在与所述第一平面垂直的同一直线上。
2.根据权利要求1所述的摄像头模组,其特征在于,所述保护盖上设置有凹槽;其中:
所述凹槽设置在所述保护盖的第二平面的所述第一区域;
所述光学传感芯片设置在所述凹槽内;其中,所述光学传感芯片靠近所述光学透镜结构的面用于采集光学信息。
3.根据权利要求2所述摄像头模组,其特征在于,所述凹槽内还设置有至少一个预设芯片;其中:
所述至少一个预设芯片设置在所述光学传感芯片的远离所述光学透镜结构的面上;
其中,所述至少一个预设芯片与所述光学传感芯片连接;所述预设芯片的功能与所述光学传感芯片的功能不同。
4.根据权利要求2或3所述的摄像头模组,其特征在于,所述摄像头模组还包括:导电线路和焊盘;其中:
所述导电线路,设置在所述保护盖的第二平面的第二区域和所述第一区域的预设位置;其中,所述第二区域是所述保护盖的第二平面上除所述第一区域外的区域;
所述焊盘的一端与所述光学传感芯片的引脚连接;所述焊盘的另一端与所述导电线路连接。
5.根据权利要求4所述的摄像头模组,其特征在于,所述摄像头模组还包括:填充介质;其中:
所述填充介质,填充在所述凹槽内;
所述填充介质,用于将芯片固定在所述凹槽内;其中,所述芯片包括所述光学传感芯片,或者包括所述光学传感芯片和所述至少一个预设芯片。
6.根据权利要求5所述的摄像头模组,其特征在于,
所述填充介质,还设置在所述保护盖的第二平面的第二区域上,并覆盖所述保护盖的第二平面的第二区域上的所述导电线路。
7.根据权利要求6所述的摄像头模组,其特征在于,所述摄像头模组还包括:焊球;其中:
所述焊球设置在所述第二平面的第二区域的所述填充介质上,并且与所述导电线路连接。
8.根据权利要求7所述的摄像头模组,其特征在于,所述摄像头模组还包括:金属布线层;其中:
所述金属布线层,设置在所述保护盖的第二平面的第一区域的填充介质上;
所述金属布线层与所述导电线路连接;
所述焊球还设置在所述金属布线层上。
9.一种摄像头模组的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供保护盖;
对所述保护盖进行处理并在所述保护盖的第一平面的第一区域处形成光学透镜结构;其中,所述保护盖与所述光学透镜结构是一体的;
在所述保护盖上与所述第一平面相对的第二平面的第一区域处设置光学传感芯片;其中,所述第一平面的第一区域的中心点与所述第二平面的第一区域的中心点在与所述第一平面垂直的同一直线上。
10.根据权利要求9所述的摄像头模组的制作方法,其特征在于,所述在所述保护盖的第二平面的第一区域处设置光学传感芯片,包括:
在所述保护盖的第二平面的第一区域上形成凹槽;
在所述凹槽内设置所述光学传感芯片。
11.根据权利要求10所述的摄像头模组的制作方法,其特征在于,所述在所述凹槽内设置所述光学传感芯片,包括:
提供承载片;
将所述保护盖的第一平面与所述承载片贴合在一起,并将所述保护盖的固定在承载片上;
在所述凹槽内设置所述光学传感芯片;其中,所述光学传感芯片靠近所述光学透镜结构的面用于采集光学信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





