[发明专利]一种锡掺杂n型氧化镓制备方法在审
| 申请号: | 201710079419.4 | 申请日: | 2017-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN106816366A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
| 发明(设计)人: | 梁红伟;夏晓川;张贺秋 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心21200 | 代理人: | 温福雪,侯明远 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 制备 方法 | ||
1.一种锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,步骤如下:
步骤1.在氧化镓材料上预沉积锡掺杂源或将锡掺杂源直接覆盖在氧化镓材料上,锡掺杂源的厚度为1nm~1mm;
步骤2.安放氧化镓材料,选择如下方法中的一种:
方法一,在常压条件下,将步骤1处理后的氧化镓材料置于石英舟或石英管内;
方法二,将步骤1处理后的氧化镓材料封闭在石英管内,石英管内的真空度小于1×10-3Pa;
方法三,将步骤1处理后的氧化镓材料和锡掺杂源共同封闭在石英管内,石英管内的真空度小于1×10-3Pa;
步骤3.对步骤2放置好的氧化镓材料进行热处理,热处理温度为100℃~1500℃;热处理时间为1h~24h;
当选择方法一放置氧化镓材料时,在高纯氮气或氩气气体保护下进行热处理;
步骤4.温度降到室温后,取出锡掺杂n型氧化镓;
步骤5.锡掺杂n型氧化镓的后续处理:用清洗液对锡掺杂n型氧化镓表面的残留物进行一次清洁,再用去离子水对残留物进行二次清洁;将氧化镓材料吹干,妥善保存。
2.根据权利要求1所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,所述的氧化镓材料是单晶、多晶和制备在衬底上的外延薄膜;所述的锡掺杂源是锡单质或锡的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,热处理温度为700℃~1200℃;热处理时间为2h~12h。
4.根据权利要求1或2所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,锡掺杂源的厚度为10nm~10μm。
5.根据权利要求3所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,锡掺杂源的厚度为10nm~10μm。
6.根据权利要求1、2或5所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,所述的清洗液是盐酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、双氧水、氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种以上混合。
7.根据权利要求3所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,所述的清洗液是盐酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、双氧水、氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种以上混合。
8.根据权利要求4所述的锡掺杂n型氧化镓制备方法,其特征在于,所述的清洗液是盐酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、双氧水、氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种以上混合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710079419.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于m面Al
- 下一篇:一种控制离子圆形注入的二维扫描装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





