[发明专利]半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻在审

专利信息
申请号: 201710067756.1 申请日: 2017-02-07
公开(公告)号: CN107043251A 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 藤田一孝;伊藤和彦;志村寿一;守越广树;寺田朋广 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/626;C04B35/634;C04B35/638;C04B35/64;C04B41/88;H01C7/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 杨琦,陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 陶瓷 组合 以及 ptc 热敏电阻
【权利要求书】:

1.一种半导体陶瓷组合物,其特征在于:

以下述通式(1)表示,

(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3(1)

所述通式(1)中,所述A是选自Na和K中的至少一种元素,所述RE是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy以及Er中的至少一种元素,所述TM是选自V、Nb以及Ta中的至少一种元素,

u、v、w、x、y、z以及m满足下述式(2)~(7):

0.750y≤x≤1.50y(2)

0.007≤y≤0.125(3)

0≤w+z≤0.010(4)

v+x+y+w=1(5)

u+z=1(6)

0.950≤m≤1.050(7)

进一步,相对于1mol的Ti位点,以按元素换算为0.001mol以上且0.055mol以下的比例含有Ca,并且以按元素换算为0.0005mol以上且0.005mol以下的比例含有添加物M,

其中,Ti位点的量为合计Ti和TM的总摩尔数,添加物M为选自Mg、Al、Fe、Co、Cu、Zn中的至少一种。

2.如权利要求1所述的半导体陶瓷组合物,其特征在于:

相对于1mol的Ti位点,进一步以按元素换算为0.035mol以下的比例含有Si,

其中,Ti位点的量为合计Ti和TM的总摩尔数。

3.如权利要求1或者2所述的半导体陶瓷组合物,其特征在于:

相对于1mol的Ti位点,进一步以按元素换算为0.0015mol以下的比例含有Mn,

其中,Ti位点的量为合计Ti和TM的总摩尔数。

4.一种PTC热敏电阻,其中,

具备使用权利要求1~3中任一项所述的半导体陶瓷组合物所形成的陶瓷素体和形成于所述陶瓷素体的两个主面的电极。

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