[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开一种半导体装置，包含基底、多个主动区、多个位线与多个虚置位线。基底包含有存储器区与周边区。多个主动区是定义在基底上，而多个位线则是彼此平行且分隔地设置在基底上，并位于存储器区内且横跨主动区。多个虚置位线设置在位线的一侧，虚置位线彼此连接且各虚置位线之间具有不同的间距。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别是涉及一种随机动态处理存储器元件。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及位线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种半导体装置，其是在位线的一侧设置有多个具等电位的虚置位线，各虚置位线至少一端相互连接以避免影响该半导体装置的存储器区(cellregion)的制作工艺裕度(process window)。

为达上述目的，本发明的一实施例提供一种半导体装置，其包含一基底、多个主动区、多个位线与多个虚置位线。该基底包含有一存储器区与一周边区。该些主动区是定义在该基底上，而该些位线则是彼此平行且分隔地设置在该基底上，并位于该存储器区内且横跨该些主动区。该些虚置位线设置在该些位线的一侧，该些虚置位线彼此连接且其间具有不同的间距。

本发明的半导体元件是在位线的一侧进一步设置有多个虚置位线，该些虚置位线至少是部分位于该基底的周边区域内，并且，可具有不同的间距与宽度。该些虚置位线因相对于该位线具有较大的宽度与间距，因而在进行该位线的光刻蚀刻制作工艺时，其不会受到该些虚置位线的影响。此外，各该虚置位线的至少一端是彼此连接或交替连接，使该些虚置位线例如是呈现一封闭的矩形状、连续的回路状等，由此，各虚置位线可通过单一各形成于其上的插塞而向外连接至一主动元件，而可具有一等电位。同时，该些虚置位线的各种样态可使该半导体装置的空间配置可较为宽裕，而避免该些虚置位线的制作工艺影响该半导体装置中其他元件的制作工艺裕度。

附图说明

图1为本发明第一较佳实施例中半导体装置的示意图；

图2为本发明第二较佳实施例中半导体装置的示意图；

图3为本发明第三较佳实施例中半导体装置的示意图；

图4为本发明第四较佳实施例中半导体装置的示意图。

主要元件符号说明

100 基底

101 主动区

102 存储器区

103 浅沟槽隔离

104 周边区

110 字符线

200 位线