[发明专利]半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统有效
| 申请号： | 201710061111.7 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107026111B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 洪世玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工具 反射 系统 | ||
1.一种热反射系统，其特征在于，包含：
一加热元件；
一可操作以固定一基材的基材固定元件；
一可操作以将该加热元件的一热能引向固定该基材的该基材固定元件的反射结构，
其中该反射结构包含一外部部分及一内部部分，
其中该加热元件延伸穿过该外部部分的一孔洞，使得来自该加热元件的该热能自该外部部分与该内部部分之间发出，
其中该内部部分具有一纹理部分，
其中该纹理部分的一纹理包含多个圆周脊结构，
其中该些圆周脊结构的一谷间宽度变动而具有渐变的纹理图案，该纹理图案靠近该内部部分的上部比靠近该内部部分的下部具有更大的谷间宽度，以及
其中该纹理图案配置以不均匀地反射热能，使得比起该基材的一中间区域更多的热能被反射到该基材的一圆周区域。
2.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，该反射结构包含一截头圆锥段，其中该纹理部分设置在该反射结构的该截头圆锥段上。
3.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，靠近该反射结构的该上部的该些圆周脊结构具有比靠近该反射结构的该下部的该些圆周脊结构更大的谷间宽度，该纹理部分的该纹理配置为将一部分该热能引向该基材的一圆周区域。
4.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，该纹理包含一粗糙化不规则表面配置为将该热能引向固定的该基材。
5.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，靠近该反射结构的该下部的该些圆周脊结构具有比靠近该反射结构的该上部的该些圆周脊结构更大的谷间宽度。
6.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，靠近该反射结构的该上部的该些圆周脊结构具有比靠近该反射结构的该下部的该些圆周脊结构更大的峰谷高度。
7.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，靠近该反射结构的该下部的该些圆周脊结构具有比靠近该反射结构的该上部的该些圆周脊结构更大的峰谷高度。
8.根据权利要求1所述的热反射系统，其特征在于，该些圆周脊结构具有介于0.1mm至2mm的一峰谷高度。
9.根据权利要求4所述的热反射系统，其特征在于，靠近该反射结构的该上部的该粗糙化不规则表面具有比靠近该反射结构的该下部的该粗糙化不规则表面更大的粗糙度。
10.根据权利要求4所述的热反射系统，其特征在于，靠近该反射结构的该下部的该粗糙化不规则表面具有比靠近该反射结构的该上部的该粗糙化不规则表面更大的粗糙度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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