[发明专利]元件芯片的制造方法及电子部件安装构造体的制造方法有效
| 申请号: | 201710057126.6 | 申请日: | 2017-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN107039344B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 针贝笃史;置田尚吾;松原功幸 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 元件 芯片 制造 方法 电子 部件 安装 构造 | ||
一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法,能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域且元件面被绝缘膜覆盖的基板进行分割而制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中,将基板暴露于第一等离子体,从而将基板分割为元件芯片,成为使具备第一面、第二面以及侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在载体上且使侧面和绝缘膜露出的状态。然后,将元件芯片暴露于第二等离子体,从而将露出的侧面中的与绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部,并通过第三等离子体从而用保护膜覆盖凹陷部,抑制安装过程中导电性材料向侧面爬升。
技术领域
本公开涉及将具有多个元件区域的基板按每个元件区域进行分割来制造元件芯片的元件芯片的制造方法、将该元件芯片安装到基板而成的电子部件安装构造体的制造方法以及电子部件安装构造体。
背景技术
半导体元件等元件芯片通过将具有多个元件区域的晶片状的基板分割为单片而进行制造(例如,参照专利文献1)。在该专利文献所示的现有技术中,首先,以形成有电路的晶片的表面粘附于背面研磨胶带的状态对晶片的背面进行研磨,进而通过蚀刻将晶片薄化。然后,在相当于元件区域的部分形成抗蚀剂层而进行遮盖,实施等离子体蚀刻,从而将晶片分离为单片的半导体元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-93752号公报
发明内容
像上述那样从晶片状的基板切出的单片状的元件芯片除了实施封装而用作器件装置以外,有时以WLCSP(Wafer Level Chip Size Package:晶片级芯片尺寸封装)等元件芯片的形态直接被送往电子部件安装工序。在这种情况下,元件芯片以使电路形成面与接合用的焊糊、银膏等导电性材料直接接触的方式进行安装。
本公开的目的在于,提供一种能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升的元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体的制造方法以及电子部件安装构造体。
本公开的元件芯片的制造方法是将具备具有用分割区域划分的多个元件区域且至少其一部分被绝缘膜覆盖的第一面和第一面的相反侧的第二面的基板在分割区域进行分割而制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法,具有以下的特征。即,包括:准备基板的准备工序,基板的第一面侧被载体支承,并且基板形成有耐蚀刻层,使得覆盖与元件区域对置的第二面的区域且使与分割区域对置的第二面的区域露出;以及等离子体处理工序,在准备工序之后,对被载体支承的基板实施等离子体处理。等离子体处理工序包括分割工序、在分割工序之后进行的凹陷部形成工序、以及在凹陷部形成工序之后进行的保护膜形成工序。在分割工序中,将第二面暴露于第一等离子体,从而将未被耐蚀刻层覆盖的区域的基板在该基板的深度方向上蚀刻至到达第一面而将基板分割为元件芯片。而且,成为具备第一面、第二面以及连结第一面和第二面的侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在载体上并且使侧面和绝缘膜露出的状态。在凹陷部形成工序中,在彼此隔开间隔保持在载体上的状态下,将元件芯片暴露于第二等离子体,从而将露出的侧面中的与绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部。在保护膜形成工序中,在彼此隔开间隔保持在载体上的状态下,将元件芯片暴露于供给保护膜形成用气体的同时而产生的第三等离子体,从而在元件芯片的第二面、元件芯片的侧面以及凹陷部形成保护膜。
在本公开的电子部件安装构造体的制造方法中,电子部件安装构造体是将通过本公开的元件芯片的制造方法形成的元件芯片在第一面具备的元件电极通过由元件电极和焊料形成的接合部接合到形成在印刷基板的焊盘电极而成的,电子部件安装构造体的制造方法具有以下的特征。即,包括:焊料膏供给工序,对焊盘电极供给膏状的焊料;以及搭载工序,使元件电极安放于供给到对应的焊盘电极的焊料膏,从而搭载到印刷基板。而且,包括:熔融工序,对印刷基板进行加热而使焊料熔融,从而形成对元件电极和焊盘电极进行焊料接合的接合部;以及冷却工序,对印刷基板进行冷却而使熔融的焊料固化。在熔融工序中,形成在凹陷部的保护膜抑制熔融的焊料向所述侧面爬升。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





