[发明专利]元件芯片的制造方法及电子部件安装构造体的制造方法有效
| 申请号: | 201710057126.6 | 申请日: | 2017-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN107039344B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 针贝笃史;置田尚吾;松原功幸 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 元件 芯片 制造 方法 电子 部件 安装 构造 | ||
1.一种元件芯片的制造方法,将具备第一面和所述第一面的相反侧的第二面的基板在分割区域进行分割来制造多个元件芯片,所述第一面具有用所述分割区域划分的多个元件区域且至少其一部分被绝缘膜覆盖,所述元件芯片的制造方法包括:
准备工序,准备所述基板,所述基板的所述第一面侧被载体支承,并且所述基板形成有耐蚀刻层,使得覆盖与所述元件区域对置的所述第二面的区域且使与所述分割区域对置的所述第二面的区域露出;以及
等离子体处理工序,在所述准备工序之后,对被所述载体支承的所述基板实施等离子体处理,
所述等离子体处理工序包括:
分割工序,将所述第二面暴露于第一等离子体,从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板在该基板的深度方向上蚀刻至到达所述第一面而将所述基板分割为元件芯片,并成为具备所述第一面、所述第二面以及连结所述第一面和所述第二面的侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在所述载体上并且使所述侧面和所述绝缘膜露出的状态;
凹陷部形成工序,在所述分割工序之后,在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下,将所述元件芯片暴露于第二等离子体,从而将露出的所述侧面中的与所述绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部;以及
保护膜形成工序,在所述凹陷部形成工序之后,在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下,将所述元件芯片暴露于供给保护膜形成用气体的同时而产生的第三等离子体,从而在所述元件芯片的所述第二面、所述元件芯片的所述侧面以及所述凹陷部形成保护膜。
2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法,还包括:保护膜除去工序,在所述保护膜形成工序之后,在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下,将所述元件芯片暴露于第四等离子体,从而在使形成在所述凹陷部的所述保护膜的至少一部分残留的同时除去形成在所述元件芯片的所述第二面和所述侧面的所述保护膜。
3.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法,所述绝缘膜为无机绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法,所述保护膜是以碳氟化合物为主成分的膜。
5.根据权利要求4所述的元件芯片的制造方法,所述保护膜形成用气体包含氟化碳。
6.一种电子部件安装构造体的制造方法,所述电子部件安装构造体是将利用权利要求1至5中的任一项所述的元件芯片的制造方法而形成的元件芯片在所述第一面具备的元件电极通过由所述元件电极和焊料形成的接合部接合到形成在印刷基板的焊盘电极而成的,所述电子部件安装构造体的制造方法包括:
焊料膏供给工序,对所述焊盘电极供给膏状的焊料;
搭载工序,使所述元件电极安放于供给到对应的所述焊盘电极的焊料膏,从而搭载到所述印刷基板;
熔融工序,对所述印刷基板进行加热而使所述焊料熔融,从而形成对所述元件电极和焊盘电极进行焊料接合的接合部;以及
冷却工序,对所述印刷基板进行冷却而使熔融的所述焊料固化,
在所述熔融工序中,形成在所述凹陷部的所述保护膜抑制熔融的焊料向所述侧面爬升。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





