[发明专利]肖特基二极管及肖特基二极管阵列

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一碳纳米管结构。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管结构为单根的半导体型的碳纳米管，该碳纳米管从第一电极延伸至第二电极。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管结构为一碳纳米管膜，该碳纳米管膜的厚度小于等于100纳米。

4.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，碳纳米管膜包括多根碳纳米管，所述多根碳纳米管中，半导体型碳纳米管的质量百分含量大于等于80％小于等于100％。

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管膜由多根相互平行的碳纳米管组成，所述碳纳米管从第一电极延伸至第二电极。

6.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述碳纳米管膜为一碳纳米管有序膜，该碳纳米管有序膜包括多个按一定规律排列的碳纳米管。

7.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，碳纳米管膜为一碳纳米管无序膜，该碳纳米管无序膜包括多个无序随机排列的碳纳米管。

8.如权利要求7所述的肖特基二极管，其特征在于，碳纳米管无序膜为一由多个碳纳米管组成的网络结构。

9.一种肖特基二极管阵列，其包括：一绝缘基底及多个肖特基二极管单元，该多个肖特基二极管单元以阵列的形式排列设置在绝缘基底的表面，每个肖特基二极管单元之间相互间隔设置，所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一碳纳米管结构。

10.如权利要求9所述的肖特基二极管阵列，其特征在于，所述碳纳米管结构为单根的半导体型碳纳米管或一碳纳米管膜，该碳纳米管膜的厚度小于等于200纳米。