[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上分立的鳍部、横跨所述鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构、位于所述栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂区、以及覆盖所述源漏掺杂区的第一刻蚀停止层；

在所述栅极结构的顶部上形成保护层，包括：在所述栅极结构的顶部上形成离子掺杂掩膜层；在所述离子掺杂掩膜层上形成第二刻蚀停止层，且所述第二刻蚀停止层与所述离子掺杂掩膜层的材料不相同；所述离子掺杂掩膜层的材料易去除；

在所述第一刻蚀停止层和保护层上形成层间介质层；

以所述第一刻蚀停止层为停止层，刻蚀所述源漏掺杂区上方的层间介质层，在所述栅极结构之间的层间介质层内形成露出所述第一刻蚀停止层的第一通孔；

以所述保护层中的第二刻蚀停止层为停止层，刻蚀所述栅极结构上方的层间介质层，在所述栅极结构上方的层间介质层内形成露出所述保护层的第二通孔；

形成所述第二通孔后，沿所述第一通孔刻蚀所述第一刻蚀停止层，形成贯穿所述层间介质层和第一刻蚀停止层并露出所述源漏掺杂区的第一接触孔；沿所述第二通孔刻蚀所述第二刻蚀停止层，形成贯穿所述层间介质层和第二刻蚀停止层并露出所述离子掺杂掩膜层的初始接触孔；

对所述第一接触孔底部的源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺；

在所述预非晶化注入工艺后，去除所述初始接触孔底部的所述离子掺杂掩膜层，形成贯穿所述层间介质层、第二刻蚀停止层和离子掺杂掩膜层并露出所述栅极结构的第二接触孔；

向所述第一接触孔和第二接触孔内填充导电材料，形成与所述源漏掺杂区电连接的第一接触孔插塞，以及与所述栅极结构电连接的第二接触孔插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂掩膜层的材料为氧化硅、碳氧化硅或碳化硅；所述第二刻蚀停止层的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂掩膜层的厚度为至

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀停止层的厚度为至

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二刻蚀停止层的工艺为等离子体干法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀停止层的材料为氮化硅，所述等离子体干法刻蚀工艺的主刻蚀气体为氟基气体，所述氟基气体包括CF₄、C₄F₆或C₄F₈。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过粘附层沉积预清洗工艺，去除所述初始接触孔底部的离子掺杂掩膜层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述粘附层沉积预清洗工艺的步骤包括：提供Ar等离子体；采用Ar等离子体对所述离子掺杂掩膜层进行轰击。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或碳氮氧化硅。