[发明专利]一种高纯Ti3有效

专利信息
申请号: 201710029215.X 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN107056301B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 杨军;刘维民;王帅;乔竹辉;李茂华;程军;朱圣宇;龙泽荣 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/626;C04B35/64
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 周瑞华
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 ti base sub
【说明书】:

发明公开了一种高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法。该方法先将质量百分比为60%的Ti3AlC2和40%的SnO2的混合粉体经过放电等离子烧结,然后再经过纯化处理得到陶瓷粉体材料。制备的材料具有纯度高、导电性好、耐高温等特点,而且制备工艺简单、可控性好,该材料有望作为基体或增强体而广泛应用于航空、航天、核工业和电子信息等高新技术领域。

技术领域

本发明涉及一种高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域。

背景技术

Ti3SnC2陶瓷是一种可机械加工、具有特殊层状结构的新型结构陶瓷。它兼具了金属和陶瓷的优异性能:类似于金属,它具有良好的导电导热性、可机械加工、高抗损伤容限及抗热震等优点;类似于陶瓷,它具有较高的弹性模量、耐高温、抗氧化和耐腐蚀等优异特性。基于以上优点,Ti3SnC2陶瓷有可能作为基体或增强体而广泛应用于航空、航天、武器装备、核工业和电子信息等高新技术领域。虽然Ti3SnC2陶瓷具有优异的综合特性和广泛的应用前景,但该材料的制备较为困难且纯度较难控制,因此Ti3SnC2陶瓷的应用受到限制。如文献(J. Am. Ceram. Soc. 96, No. 10, 2013)中所述,通过采用Fe为烧结助剂,在1150 °C和 50 MPa压力下热压烧结元素混合粉10 h,得到了含有FexSny,Sn和TiC的Ti3SnC2陶瓷。文献(J. Am. Ceram. Soc. 99, No. 7, 2016)中所述,以Ti,Sn和石墨为原料,在通有氩气氛围的管式炉中1600 °C烧结4 h得到了含有Sn和TiC杂质的Ti3SnC2陶瓷。上面所述的制备方法烧结保温时间较长,且生成的杂质相TiC和FexSny很难去除,对Ti3SnC2陶瓷的性能有非常不利的影响。因此制备高纯度的Ti3SnC2陶瓷对该材料广泛的应用具有重要的意义。目前,关于高纯Ti3SnC2陶瓷的制备还没有公开报道。

发明内容

本发明的目的在于提供一种产率高、工艺简单、适合工业化生产的高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法。

本发明先将质量百分比为60% 的Ti3AlC2和40% 的SnO2的混合粉体经过放电等离子烧结,然后再经过纯化处理得到陶瓷粉体材料。

一种高纯Ti3SnC2陶瓷粉体材料的制备方法,其特征在于:Ti3SnC2陶瓷通过将Ti3AlC2和SnO2的混合物进行放电等离子烧结制备而成,具体工艺步骤如下:

1)混料:将质量百分比为60%的Ti3AlC2粉末和40%的SnO2粉末球磨后过150~200目筛获得混合粉末;

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