[发明专利]用于平滑结构体表面的方法有效
| 申请号： | 201710023799.X | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107039269B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;C·大卫 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;龚泽亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 平滑 结构 体表 方法 | ||
1.一种使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其包括在热处理期间使所述结构体(11)的表面暴露于惰性气体流或还原性气体流和高温，所述方法包括：
·在大于阈值温度的第一温度和由大于20标准升/分钟的第一流速限定的第一气体流下的第一热处理步骤，所述阈值温度为1150℃至1170℃；
所述方法的特征在于，其包括：
·在低于第一温度和所述阈值温度并且大于1130℃的第二温度和由低于第一流速并且小于15标准升/分钟的第二流速限定的第二气体流下的第二热处理步骤。
2.如权利要求1所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其包括供给所述绝缘体上硅结构体(11)的前序步骤，所述绝缘体上硅结构体(11)包含位于介电层(2)上的薄表面层(10)，所述介电层(2)位于载体衬底(5)上，所述表面层(10)的厚度小于500nm。
3.如权利要求1或2所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第一温度为1160℃至1200℃。
4.如权利要求3所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第一温度为1170℃至1200℃。
5.如权利要求1或2所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第二温度大于1130℃并且小于1170℃。
6.如权利要求5所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第二温度为从大于1130℃至1160℃。
7.如权利要求1或2所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第二热处理步骤包括在所述第二温度保持给定的时长。
8.如权利要求7所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述保持的时长为5分钟至2小时。
9.如权利要求1或2所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第二热处理步骤包括从所述第二温度开始的0.1℃/分钟至20℃/分钟的温度斜降。
10.如权利要求1或2所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述惰性气体选自氩气或氩气与氢气的混合物。
11.如权利要求1或2所述的使绝缘体上硅结构体(11)平滑的方法，其中，所述第一热处理步骤和所述第二热处理步骤在同一热处理期间连接在一起。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
