[发明专利]装置及相关联方法

权利要求书

1.一种半导体设备，其特征在于包括：

由III-V半导体材料制成的晶片；

集成于所述晶片中的二维电子气区的电阻器元件，所述电阻器元件包括由所述晶片的所述III-V半导体材料中的第一植入材料界定的迹线，所述迹线通过环绕所述迹线的隔离区与所述晶片的剩余部分电隔离；

所述隔离区由所述晶片的所述III-V半导体材料中的第二植入材料界定，并且所述迹线由所述晶片的具有第一浓度的所述第一植入材料的一部分界定，并且所述隔离区由所述晶片的环绕所述迹线并具有高于所述第一浓度的第二浓度的所述第二植入材料的一部分界定，

所述植入材料部分毁坏所述二维电子气区和/或修改所述二维电子气区中的电荷载子的浓度，从而可实现所述二维电子气区的薄层电阻的局部增大以界定所述电阻器元件。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于所述半导体设备在所述晶片上包括另一集成组件，所述另一集成组件包括形成于所述晶片的表面上的至少一个接合焊盘以实现至所述另一集成组件的连接，所述电阻器元件至少部分直接布置于所述至少一个接合焊盘下方。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于所述电阻器元件包括第一端子和第二端子，其中所述迹线于其间延伸以在所述第一端子与所述第二端子之间提供电阻性通路，并且其中电连接提供于所述电阻器元件的所述第一端子和所述第二端子中的一者与所述接合焊盘之间。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于所述另一集成组件是具有源极接合焊盘、漏极接合焊盘和栅极接合焊盘的HEMT，所述电阻器元件的所述第一端子连接至所述栅极接合焊盘，并且所述电阻器元件的所述第二端子连接至所述源极接合焊盘。

5.一种包括根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体设备的半导体封装。

6.一种包括根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体设备或根据权利要求5所述的半导体封装的电子设备。

7.一种形成集成电阻器元件的方法，其特征在于包括：

通过离子植入将第一植入材料的离子植入到由III-V半导体材料制成的晶片中以界定用于形成所述电阻器元件的迹线；其中，所述电阻器元件位于所述晶片中的二维电子气区；

使所述迹线与所述晶片的剩余部分电隔离，从而形成环绕所述迹线的隔离区；

所述电隔离步骤包括通过将第二植入材料植入到所述晶片的所述III-V半导体材料中来电隔离，并且所述第一植入材料和所述第二植入材料是相同材料，并且所述方法包括植入比所述隔离区低剂量的所述植入材料的所述离子以形成所述迹线，

所述植入材料部分毁坏所述二维电子气区和/或修改所述二维电子气区中的电荷载子的浓度，从而可实现所述二维电子气区的薄层电阻的局部增大以界定所述电阻器元件。