[发明专利]电力用半导体装置在审
| 申请号： | 201680083795.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109075198A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 井上敦文;冈诚次;川上刚史;古川彰彦;时冈秀忠;津田睦;藤冈靖 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/522;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李鹏宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电力用半导体装置 导电层 发射极 烧结金属层 烧结体 导热性 半导体基板 紧密接合性 整体覆盖 散热性 主电流 俯视 流动 | ||
1.一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：
形成在半导体基板上的供主电流流动的表面电极；
形成在所述表面电极上的非烧结体的第1金属层；以及
形成在所述第1金属层上的作为烧结体的第2金属层，
所述第2金属层具有在俯视时将所述表面电极的整体覆盖的大小，并且所述第2金属层的导热性比所述第1金属层的导热性高，
所述电力用半导体装置还具备以覆盖所述第2金属层的方式形成的锡焊，
所述锡焊也与所述第1金属层接合，
所述第2金属层存在多个，
各所述第2金属层的空孔的每单位体积的密度彼此不同，且各所述第2金属层在所述第1金属层上按照所述空孔的每单位体积的密度从小到大的顺序层积地形成。
2.如权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于，
所述第2金属层具有在俯视时超出所述表面电极的端部的大小。
3.如权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其特征在于，
所述第1金属层具有在俯视时覆盖所述表面电极的整体且超出所述表面电极的端部的大小。
4.如权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其特征在于，
所述半导体基板具有形成在所述半导体基板的表面上的活性区域和以包围所述活性区域的方式形成的终端区域，
所述电力用半导体装置还具备在所述半导体基板的所述终端区域形成在所述第1金属层上的聚酰亚胺层，
所述聚酰亚胺层与所述第2金属层分离开地形成。
5.如权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于，
所述第1金属层中至少与所述锡焊接合的接合部分为Au。
6.一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：
形成在半导体基板上的供主电流流动的表面电极；
形成在所述表面电极上的非烧结体的第1金属层；以及
形成在所述第1金属层上的作为烧结体的第2金属层，
所述第2金属层具有在俯视时将所述表面电极的整体覆盖的大小，并且所述第2金属层的导热性比所述第1金属层的导热性高，
所述电力用半导体装置还具备一端接合在所述第2金属层上的金属丝，
所述第2金属层存在多个，
各所述第2金属层的空孔的每单位体积的密度彼此不同，且各所述第2金属层在所述第1金属层上按照所述空孔的每单位体积的密度从小到大的顺序层积地形成。
7.一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：
形成在半导体基板上的供主电流流动的表面电极；
形成在所述表面电极上的非烧结体的第1金属层；以及
形成在所述第1金属层上的作为烧结体的第2金属层，
所述半导体基板具有形成在所述半导体基板的表面上的活性区域和以包围所述活性区域的方式形成的终端区域，
所述第1金属层以及所述第2金属层具有在俯视时覆盖所述活性区域的大小，
所述电力用半导体装置还具备以覆盖所述第2金属层的方式形成的锡焊，
所述第2金属层存在多个，
各所述第2金属层的空孔的每单位体积的密度彼此不同，且各所述第2金属层在所述第1金属层上按照所述空孔的每单位体积的密度从小到大的顺序层积地形成。
8.如权利要求7所述的电力用半导体装置，其特征在于，
所述第1金属层以及所述第2金属层在俯视时为相同宽度。
9.如权利要求7或8所述的电力用半导体装置，其特征在于，
所述电力用半导体装置还具备聚酰亚胺层，该聚酰亚胺层在俯视时形成在从所述活性区域与所述终端区域的交界位置起直至向所述活性区域侧空开了所述第2金属层的厚度以下的距离的位置为止的所述活性区域上。
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