[发明专利]硅氧烷聚合物的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680078250.4 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN108473684B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 水田真之;关浩康;小林央岳;加藤秀利 申请(专利权)人: 东丽精细化工株式会社
主分类号: C08G77/32 分类号: C08G77/32;C08G77/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;孙丽梅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 硅氧烷 聚合物 制造 方法
【说明书】:

本发明是硅氧烷聚合物的制造方法,使特定的有机硅化合物在碱的存在下进行了水解、缩合反应后的、有机酸的含量相对于硅氧烷聚合物100重量份为0.0001~0.03重量份。本发明的硅氧烷聚合物的制造方法在硅氧烷聚合物的制造过程中的高温下浓缩时,能够抑制硅氧烷聚合物的分子量的增加。通过本发明的硅氧烷聚合物的制造方法制造的硅氧烷聚合物,即使长期保存,分子量的增加、粘度的变化也小,保存稳定性也优异。

技术领域

本发明涉及硅氧烷聚合物的制造方法。

背景技术

液晶显示元件、半导体元件等电子部件所使用的电子材料需要具有下述特性:可见光透射性高,并且可耐受制造元件时的各种处理工序的耐热性、耐化学品性、耐裂性等。硅氧烷聚合物因为具有可见光透射性高、耐热性好等特性,因此受到关注。

硅氧烷聚合物如下合成,通过将水解性硅化合物在碱的存在下进行水解、缩合反应,然后通过浓缩等除去溶剂、副产物。水解反应中,与硅原子结合的水解性取代基受到水解,形成硅烷醇基。该硅烷醇基进一步与其它硅烷醇基或未反应的水解性基进行缩合反应,形成硅氧烷键。而且该反应不断重复,形成硅氧烷聚合物。硅烷醇基在缩合反应中不是全部硅烷醇基都被消耗,在反应后,也残存一部分硅烷醇基。如果这样的反应性高的硅烷醇基残存,则在高温下进行浓缩时,硅烷醇基进行缩合反应,与浓缩前的有机硅相比,硅氧烷聚合物的分子量增加,因此得不到具有目标特性的硅氧烷聚合物。

为了使包含硅氧烷聚合物的组合物的稳定性提高,进行了各种研究。公开了例如,在包含硅氧烷聚合物的组合物中,添加相对于硅氧烷聚合物100重量份为0.1重量份以上的酸的方法(专利文献1)。然而,该方法中,大量添加的酸在制造元件时,成为使硅氧烷聚合物的特性恶化的原因。此外,这些方法由于在制造硅氧烷聚合物后添加酸,因此在硅氧烷聚合物的制造过程中、在高温下进行浓缩时,硅氧烷聚合物变质,得不到目标的硅氧烷聚合物。

需求下述硅氧烷聚合物的制造方法:在制造元件时不对硅氧烷聚合物的特性产生影响,此外,在硅氧烷聚合物的制造过程中的高温下的浓缩时,能够抑制硅氧烷聚合物的分子量增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-112966号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明提供下述方法:在硅氧烷聚合物的制造过程中的高温下的浓缩时,能够抑制硅氧烷聚合物的分子量的增加。

用于解决问题的方法

本发明的硅氧烷聚合物的制造方法是下述硅氧烷聚合物的制造方法:使选自式(1)所示的化合物、式(2)所示的化合物和式(3)所示的化合物中的至少1种化合物,在碱的存在下进行了水解、缩合反应后的、有机酸的含量相对于硅氧烷聚合物100重量份为0.0001~0.03重量份。

R1R2Si(OR3)2   (1)

(式中,R1、R2表示烃基、缩水甘油基或甲基丙烯酰基,R1、R2可以为相同的基团,也可以为不同的基团,式中,R3表示烃基。)

R4Si(OR5)3   (2)

(式中,R4表示烃基、缩水甘油基或甲基丙烯酰基,R5表示烃基。)

Si(OR6)4   (3)

(式中,R6表示烃基。)

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