[发明专利]晶体管的控制装置、连接件的控制电路与电转换器

权利要求书

1.一种用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其特征在于，所述至少一个晶体管被称为控制晶体管（3），所述控制装置（1）包括：

所述控制晶体管（3），后者包括控制电极（E_c）以及两个其它电极（E1、E2），

主控制电路（5），连接到所述控制晶体管（3）的所述控制电极（E_c）且配置成根据主操作模式控制所述控制晶体管（3）的状态，以及

辅助控制电路（11），配置成根据辅助操作模式注入与在所述主控制电路（5）与所述控制晶体管（3）的所述控制电极（E_c）之间循环的电流反向的辅助电流，

其中所述控制装置（1）还包括所述辅助控制电路（11）的控制电路（15），所述控制电路（15）配置成依据所述主控制电路（5）的所述控制来阻断或授权所述辅助控制电路（11）的所述辅助操作模式，

其中所述控制电路（15）包括对应于具有沟道N的MOSFET型晶体管的第二开关元件（45），在所述第二开关元件（45）中：

栅极连接到所述主控制电路（5），

漏极一方面连接到第一电压源（V_c），且另一方面连接到第一开关元件（43）的控制电极，以及

源极连接到电压小于所述第一电压源（V_c）的电压的第二电压源（V_ee）。

2.根据权利要求1所述的用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其中所述控制电路（15）配置成电导通所述辅助控制电路（11）和所述控制晶体管（3）的所述控制电极（E_c）以授权所述辅助操作模式，或中断所述电导通且阻断所述辅助操作模式。

3.根据权利要求2所述的用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其中所述控制电路（15）包括配置成启用所述辅助控制电路（11）与所述控制晶体管（3）的所述控制电极（E_c）之间的所述电导通或中断所述电导通的第一开关元件（43）。

4.根据权利要求1所述的用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其中所述主控制电路（5）包括配置成产生脉宽调制信号的可编程逻辑组件（7），以及配置成接收来自所述逻辑组件（7）的脉宽调制信号并将其转换成所述控制晶体管（3）的控制信号的控制构件（9）。

5.根据权利要求1所述的用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其中所述辅助控制电路（11）配置成在验证与在所述控制晶体管（3）的除了所述控制电极（E_c）以外的所述电极（E1、E2）之间循环的电流的时间漂移值相关的预定义条件时根据所述辅助操作模式操作。

6.根据权利要求5所述的用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其中所述辅助控制电路（11）配置成使在除了所述控制电极（E_c）以外的所述电极（E1、E2）之间循环的电流的时间漂移值围绕设定值受控。

7.根据权利要求1所述的用于控制至少一个晶体管的控制装置（1），其中所述辅助控制电路（11）包括检测构件（11a）和注入构件（11b），所述注入构件（11b）配置成当其接收到来自所述检测构件（11a）的电压时，注入与在所述主控制电路（5）与所述控制晶体管（3）的所述控制电极（E_c）之间循环的电流反向的辅助电流。