[发明专利]一种制造中空的MEMS结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造至少部分中空的MEMS结构的方法，所述方法包括以下步骤：

a)设置芯材；

b)在所述芯材中创建一个或多个贯通开口，所述一个或多个贯通开口根据预定的图案来构建；

c)将蚀刻停止层设置到所述一个或多个贯通开口的表面；

d)在所述芯材的第一表面上创建第一导电材料的底部层；

e)通过利用第二导电材料填充至少一个所述贯通开口来创建一个或多个导通部，所述一个或多个导通部电连接到所述底部层；

f)在所述芯材的第二表面上创建第三导电材料的顶部层，所述顶部层电连接到所述一个或多个导通部；

g)在相应的所述底部层和所述顶部层中创建底部导体和顶部导体；和

h)去除多余的所述芯材以便创建所述至少部分中空的MEMS结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯材包括硅晶片。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预定的图案至少由与Al₂O₃层组合的光刻胶层限定。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用反应离子蚀刻工艺来创建所述芯材中的所述一个或多个贯通开口。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，设置到所述一个或多个贯通开口的表面的所述蚀刻停止层是使用原子层沉积工艺来设置的。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层包括Al₂O₃层。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用电镀工艺来设置所述第一导电材料、所述第二导电材料和所述第三导电材料。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料、所述第二导电材料和所述第三导电材料是相同的材料。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用与湿法蚀刻工艺组合的光刻胶图案化工艺来创建所述底部导体和所述顶部导体。

10.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用蚀刻工艺来实施去除多余的所述芯材。

11.如权利要求1或2所述的方法，还包括使用蚀刻工艺来去除所述蚀刻停止层的步骤。

12.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反应离子蚀刻工艺是干法反应离子蚀刻工艺。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料、所述第二导电材料和所述第三导电材料是铜。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述蚀刻工艺是湿法蚀刻和/或各向同性的干法蚀刻。

15.一种使用如前述权利要求中任一项所述的方法而制造的MEMS结构。

16.如权利要求15所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构形成MEMS电感器的至少一部分。

17.如权利要求16所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS电感器形成环形电感器、螺旋形电感器或螺线管形电感器。

18.一种开关模式电源单元，所述开关模式电源单元包括如权利要求15至17中任一项所述的MEMS结构。