[发明专利]用于至少一个传感器的电流供给的高侧开关

权利要求书

1.一种用于至少一个传感器的电流供给的高侧开关(100)，所述高侧开关包括：

两个接头(1，2)；

电流路径(10)，所述接头(1，2)通过所述电流路径能导电地相互连接，并且在所述电流路径内，测量晶体管(4)和至少两个电阻(5)相互串联连接，

其特征在于，

所述高侧开关还包括：功率晶体管(6)，所述功率晶体管与所述电流路径(10)并联连接，

比较器(30)，所述比较器具有：

-两个输入端(31，32)，所述两个输入端中的一个与所述电流路径(10)固定地连接并且一个能够与所述电流路径(10)可变地连接，使得位于所述输入端(31，32)与所述电流路径(10)的连接点之间的电阻(5)的数目能够改变，

-输出端(33)，所述输出端与所述测量晶体管(4)的和所述功率晶体管(6)的控制输入端能导电地连接，

其中，可校准的第一电流源(40)与所述测量晶体管(4)的控制输入端能导电地连接，

其中，所述可校准的第一电流源(40)构造用于通过将第一补偿电流(Ik1)接入到所述测量晶体管(4)的控制输入端上来补偿由于所述电阻(5)的负反馈而在所述功率晶体管(6)的控制输入端上引起的误差电压。

2.根据权利要求1所述的高侧开关(100)，其中，所述输入端(31)中的第一输入端可调整地构造，使得在其第一位置中一个电阻(5)以及在第二位置中两个电阻(5)在所述电流路径(10)内部位于所述输入端(31，32)与所述电流路径(10)的连接点之间，其中，所述高侧开关(100)此外包括用于对所述第一输入端(31)进行位置更换的调节单元(12)。

3.根据权利要求1或2所述的高侧开关(100)，其中，所述比较器(30)具有发射极比较器，所述发射极比较器包括跨导放大器。

4.根据权利要求1或2所述的高侧开关(100)，其中，不仅所述测量晶体管(4)而且所述功率晶体管(6)涉及具有相同的沟道长度(L)的场效应晶体管，其中，所述功率晶体管(6)的沟道宽度(Wp)比所述测量晶体管(4)的沟道宽度(Ws)大多倍。

5.根据权利要求1或2所述的高侧开关(100)，其中，所述测量晶体管(4)的控制输入端和所述功率晶体管(6)的控制输入端分别通过一个能导电的连接(4-1，6-1)在交叉点(8)上相互连接，其中，可校准的第二电流源(50)与所述交叉点(8)能导电地连接。

6.根据权利要求5所述的高侧开关(100)，其中，所述可校准的第一电流源(40)的电流输出端与在所述测量晶体管(4)的控制输入端和所述交叉点(8)之间的能导电的连接(4-1)能导电地连接，其中，在所述测量晶体管(4)的控制输入端和所述交叉点(8)之间的所述能导电的连接(4-1)中此外布置有前置电阻(9)。

7.根据权利要求5所述的高侧开关(100)，其中，所述可校准的第二电流源(50)构造用于将第二补偿电流(Ik2)馈入到所述交叉点(8)中，所述第二补偿电流相当于所述第一补偿电流(Ik1)。

8.根据权利要求6所述的高侧开关(100)，其中，由所述前置电阻(9)的电阻值和在所述高侧开关(100)运行中的第一补偿电流(Ik1)组成的乘积相当于由通过所述比较器(30)调节的、流过所述测量晶体管(4)的最大电流和由所述至少两个电阻(5)的电阻值组成的总和组成的乘积。

9.根据权利要求1或2所述的高侧开关(100)，其中，可校准的第一电流源(40)构造用于将流过所述电流路径(10)的电流微调到预先确定的期望值上。

10.根据权利要求3所述的高侧开关(100)，其中，所述发射极比较器是18mV发射极比较器。