[发明专利]用于基于写入计数调整写入参数的设备及方法

说明书

根据本发明的一个实施例，揭示一种设备。所述设备包含具有多个存储器单元的存储器阵列。所述设备进一步包含存储器存取电路，其耦合到所述存储器阵列且经配置以响应于控制信号执行写入操作。所述设备进一步包含控制逻辑，其耦合到所述存储器存取电路且经配置以至少部分基于由所述存储器存取电路执行的写入操作的数目应用一组写入参数且进一步经配置以将控制信号提供到所述存储器存取电路以根据所述组写入参数对所述多个存储器单元执行写入操作。

背景技术

可读取及写入非易失性存储器装置以便检索及存储信息。一种类型的非易失性存储装置是可经布置在三维(3D)交叉点架构中的相变存储器。在相变存储器装置中，每一存储器单元由可选择性地从一个相位转变成另一相位的材料形成。举例来说，可通过将写入电压施加到存储器单元将所述材料从非晶状态转变成结晶状态。不同状态具有不同电性质，且可通过将电压施加到所述材料来感测，这基于材料的目前状态导致不同电流经传导通过所述单元。因此，选择性地将写入电压施加到存储器单元来设置材料状态提供一种机制，其用于存储稍后可通过将感测电压施加到单元来读取的数据位。虽然非易失性存储器装置具有即使在电力从所述装置移除时也留存所存储的信息的益处，但此类装置通常遭受有限的写入耐久性及留存。即，针对读取及写入操作对存储器单元的重复存取对装置的组件及存储器单元施加应力。因此，存储器装置可在装置的整个寿命内经受物理变化及降级。

发明内容

在本发明的一方面中，一种设备，其包含：存储器阵列，其具有多个存储器单元；存储器存取电路，其耦合到所述存储器阵列且经配置以响应于控制信号执行写入操作；及控制逻辑，其耦合到所述存储器存取电路。所述控制逻辑经配置以至少部分基于由所述存储器存取电路执行的写入操作的数目应用一组写入参数。所述控制逻辑进一步经配置以将控制信号提供到所述存储器存取电路以根据所述组写入参数对所述多个存储器单元执行写入操作。

另一方面，一种设备包含存储器装置，所述存储器装置包含多个存储器单元。所述存储器装置经配置以基于一组写入参数将信息存储在所述多个存储器单元上。所述存储器装置进一步包含存储在所述存储器装置的所述多个存储器单元的子集中的参数表。所述参数表经配置以存储对应于所述组写入参数的一组写入循环分选格。

另一方面，一种设备包含：存储器存取电路，其经配置以基于一组写入参数将数据存储在多个存储器单元中。所述设备进一步包含参数表，其存储在所述多个存储器单元的一部分中，且所述参数表包含对应于多组写入参数的多个写入循环分选格。所述设备进一步包含控制逻辑，其耦合到所述存储器存取电路。所述控制逻辑经配置以基于由存储器存取电路执行的写入操作的数目确定所述写入循环分选格中的至少一者且基于所述确定的写入循环分选格应用来自所述多组写入参数的所述组写入参数。

另一方面，一种方法包含：识别对存储器装置执行的写入操作的数目及至少部分基于对所述存储器装置执行的写入操作的所述数目调整写入参数。应用所述经调整写入参数以响应于写入命令对多个存储器单元执行写入操作。

另一方面，一种方法包含：由控制逻辑接收为存储器装置建立一组写入参数的命令；由所述控制逻辑接收由所述存储器装置执行的写入操作的当前数目；由所述控制逻辑接收定义多个写入循环分选格的参数表。由所述控制逻辑比较写入操作的所述当前数目与所述多个写入循环分选格以确定可适用写入循环分选格。至少部分基于所述可适用写入循环分选格将所述组写入参数提供到所述存储器装置。

附图说明

图1A是根据本发明的实施例的存储器系统的功能框图。

图1B是根据本发明的实施例的存储器装置的功能框图。

图2是根据本发明的实施例的三维(3D)交叉点存储器阵列的一部分的图。

图3是根据本发明的实施例的基于写入计数来设置写入参数的方法的流程图。

图4是根据本发明的实施例的实例参数表。

图5是根据本发明的实施例的基于写入计数更新可适用分选格数目的方法的流程图。