[发明专利]金属配线修复方法

说明书

本发明是涉及一种金属配线修复方法，使短路的金属配线具有均匀和优秀的电性特性，其步骤包括：第一步骤，将损伤的金属配线之间，由第一排出单元形成第一绝缘膜；第二步骤，在所述第一绝缘膜的上部形成由第二排出单元连接所述损伤的金属配线的修复金属层；第三步骤，由所述第一排出单元在所述修复金属层上部形成第二绝缘膜。

技术领域

本发明涉及半导体、显示器等的金属配线修复方法。

背景技术

在半导体或显示器生产工艺中，由于细微线宽金属配线发展为更细密且分辨率高的工艺，进而所产生的阻抗问题，具有配线的高度变高的趋势。

但是，当为了解决配线的短路等问题适用金属层的修复工艺时，因变高的配线段差，发生修复的金属层断开或者密度降低的问题。

如图1所示，可知将短路的金属配线10由排出单元40形成修复金属层30时，因高段差在金属层之间生成空隙V。现有的显示器配线具有如下问题：通常是4至8um线宽水准，但在生产高分辨率面板过程中变更为2-3um配线，进而随着配线的高度从2000至3000A提高至5000至8000A水准，当形成用于修理(短路连接)的修复金属层30时，在段差(stepcoverage)发生部分膜的厚度薄或者产生空隙(void)。

这些薄膜和空隙V使得修复的金属层30具有高的阻抗值，或者产生裂痕(crack)，进而成为修复金属层30断开的不良因素的同时，成为不均匀的电特性的原因。

发明内容

(要解决的课题)

本发明是为了解决上述的问题，其目的在于在损伤的金属配线之间形成绝缘层，减少段差，进而防止修复金属层的短路。此外，通过在所述修复金属层上形成附加绝缘膜来保护修复金属层。

(解决课题的方法)

为了解决所述目的，本发明的金属配线修复方法，其步骤包括：第一步骤，将损伤的金属配线之间，由第一排出单元形成第一绝缘膜；第二步骤，在所述第一绝缘膜的上部形成由第二排出单元连接所述损伤的金属配线的修复金属层；第三步骤，由所述第一排出单元在所述修复金属层上部形成第二绝缘膜。

作为一个实施例，所述第一绝缘膜及第二绝缘膜可以包括氮化物、氧化物及氮氧化物中选择的任何一个以上。

作为另一个实施例，所述氮化物可以是Si₃N₄。

作为其他一个实施例，所述氧化物可以是SiO₂。

作为其他一个实施例，所述氮氧化物可以是Si(N,O)_x。

作为其他一个实施例，所述修复金属层可以由包括Ag、Cu、Au中选择的任何一个以上的金属微粒的墨形成。

作为其他一个实施例，所述第一绝缘膜及第二绝缘膜可以由涂抹且硬化墨形成，所述硬化由激光灯形成。

作为其他一个实施例，所述修复金属层可以由电流体(EHD)喷墨装置形成。

作为其他一个实施例，所述修复金属层由激光化学气相沉积(LASER CVD)装置形成。

作为其他一个实施例，损伤的金属配线的厚度可以是2000至8000A。

作为其他一个实施例，形成在所述损伤的金属配线之间的所述第一绝缘膜及所述修复金属层的合计厚度，可以小于所述金属配线的厚度。

作为其他一个实施例，第一绝缘膜及第二绝缘膜由EHD喷墨印刷法形成。

(发明效果)

本发明的优点在于，在损伤的金属配线之间形成绝缘膜，来减少损伤的金属配线的段差，可以防止修复金属层的短路及空隙生成。