[发明专利]金属配线修复方法有效
| 申请号： | 201680070902.X | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108541339B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 金贤泰;朴勋;金仙株;朴在雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社考恩斯特 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 修复 方法 | ||
1.一种金属配线修复方法，其特征在于，包括：
第一步骤，在因损伤而缺失的金属配线的空隙，由第一排出单元形成第一绝缘膜；
第二步骤，在所述第一绝缘膜的上部形成由第二排出单元连接所述损伤的金属配线的修复金属层；
第三步骤，由所述第一排出单元在所述修复金属层上部形成第二绝缘膜，
其中，所述第一绝缘膜仅填充于因损伤而缺失的金属配线的空隙，
所述第一绝缘膜及第二绝缘膜由相同的喷墨印刷法形成，且所述第一绝缘膜及第二绝缘膜由相同材料形成。
2.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜及第二绝缘膜包括氮化物、氧化物及氮氧化物中选择的任何一个以上。
3.根据权利要求2所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述氮化物是Si3N4。
4.根据权利要求2所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述氧化物是SiO2。
5.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述修复金属层由包括Ag、Cu、Au中选择的任何一个以上的金属微粒的墨形成。
6.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜及第二绝缘膜由涂抹且硬化墨形成，所述硬化由激光灯形成。
7.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述修复金属层由电流体喷墨装置形成。
8.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
所述修复金属层由激光化学气相沉积装置形成。
9.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
损伤的金属配线的厚度是2000至8000A。
10.根据权利要求9所述的金属配线修复方法，其特征在于，
形成在所述损伤的金属配线之间的所述第一绝缘膜及所述修复金属层的合计厚度，小于所述金属配线的厚度。
11.根据权利要求1所述的金属配线修复方法，其特征在于，
第一绝缘膜及第二绝缘膜由电流体喷墨印刷法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
