[发明专利]研磨方法及研磨装置

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征为：

根据在基板的表面上的多个测定点测定出的膜厚，取得所述基板的周向上的膜厚分布，

依据所述膜厚分布决定具有最大或最小的膜厚的第一区域，

使保持有研磨垫的研磨台旋转，

通过研磨头使所述基板旋转，同时将所述基板的表面按压于所述研磨垫，

采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域，

所述第一区域及所述第二区域关于所述基板的中心对称。

2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征为，将所述基板的表面按压于所述研磨垫的工序是如下工序：通过所述研磨头使基板旋转，同时在使所述研磨头向所述第一区域离所述研磨头的旋转中心线的距离变大或变小的方向偏心的状态下，通过所述研磨头将所述基板的表面按压于所述研磨垫。

3.如权利要求1所述的研磨方法，其特征为，采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域的工序是如下工序：在所述研磨台的半径方向，所述第一区域位于所述第二区域的外侧时，通过使从所述研磨头施加于所述基板的整个表面的负荷增加或降低，从而采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域。

4.如权利要求1所述的研磨方法，其特征为，采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域的工序是如下工序：在所述研磨台的半径方向，所述第一区域位于所述第二区域的外侧时，通过使从所述研磨头施加于所述第一区域的局部负荷增加或降低，从而采用与所述第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域。

5.如权利要求1所述的研磨方法，其特征为，采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域的工序是如下工序：在所述研磨台的半径方向，所述第一区域位于所述第二区域的外侧时，通过使所述研磨头与所述基板一起在所述研磨台的半径方向移动至外侧或内侧，从而采用与所述第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域。

6.如权利要求1所述的研磨方法，其特征为，将所述基板的表面按压于所述研磨垫的工序是如下工序：通过所述研磨头使基板旋转，同时在保持所述研磨头的弹性膜的膜固持器倾斜的状态下，通过所述弹性膜将所述基板的表面按压于所述研磨垫，

所述膜固持器从所述第一区域朝向所述第二区域往上方或下方倾斜。

7.一种研磨方法，其特征为：

根据在基板的表面上的多个测定点测定出的膜厚，取得所述基板的周向上的膜厚分布，

依据所述膜厚分布决定具有最大或最小的膜厚的第一区域，

使保持有所述基板的基板载台旋转，

使研磨盘旋转，同时将该研磨盘按压于所述基板的表面，

采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域，

所述第一区域及所述第二区域关于所述基板的中心对称。

8.如权利要求7所述的研磨方法，其特征为，采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域的工序是如下工序：所述研磨盘接触于所述第一区域时，通过提高所述第一区域与所述研磨盘的相对速度，从而采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域。

9.如权利要求7所述的研磨方法，其特征为，采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域的工序是如下工序：所述研磨盘接触于所述第一区域时，通过使所述研磨盘的负荷增加，从而采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域。

10.一种研磨方法，其特征为：

进行第一阶段研磨工序，并进行第二阶段研磨工序，

该第一阶段研磨工序是，

根据在基板的表面上的多个测定点测定出的膜厚，取得表示所述基板的周向上的膜厚分布的第一膜厚分布，

依据所述第一膜厚分布决定具有最大或最小的膜厚的第一区域，

使保持有研磨垫的研磨台旋转，

通过研磨头使所述基板旋转，同时将所述基板的表面按压于所述研磨垫，

采用与所述基板的表面中的第二区域的除去率不同的除去率研磨所述第一区域；

该第二阶段研磨工序是，

根据在经研磨的所述基板的表面上的多个测定点测定出的膜厚，取得表示该经研磨的所述基板的周向上的膜厚分布的第二膜厚分布，

依据所述第二膜厚分布决定具有最大或最小的膜厚的第三区域，

使保持有所述基板的基板载台旋转，

使研磨盘旋转，同时将该研磨盘按压于所述基板的表面，

采用与所述基板的表面中的第四区域的除去率不同的除去率研磨所述第三区域，

所述第一区域及所述第二区域关于所述基板的中心对称，且所述第三区域及所述第四区域关于所述基板的中心对称。