[发明专利]激光加工装置及激光加工方法有效
| 申请号: | 201680048390.7 | 申请日: | 2016-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN107995996B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
| 发明(设计)人: | 奥间惇治;杉本阳 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/00;B23K26/53 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 加工 装置 方法 | ||
激光加工装置具备:支撑台,其支撑包含由结晶材料所构成的基板的加工对象物;激光光源,其射岀激光;聚光光学系统,其将激光聚光于被支撑台支撑的加工对象物;摄像部,其对被支撑台支撑的加工对象物的表面进行摄像;候补线设定部,其对加工对象物设定在互相不同的方向上延伸的多个候补线;动作控制部,其控制支撑台、激光光源及聚光光学系统的至少一个的动作,使得沿着多个候补线的各个,在基板的内部形成改质区域,并且龟裂从改质区域到达至加工对象物的表面;及基准线设定部,其对加工对象物设定根据通过摄像部所摄像的龟裂的图像而决定为表示基板的结晶方位的线的基准线。
技术领域
本发明的一个方面涉及激光加工装置及激光加工方法。
背景技术
已知有对包含由结晶材料所构成的基板的加工对象物,沿着被设定成格子状的多个切断预定线的各个而形成切断起点区域,从该切断起点区域使龟裂到达至加工对象物的表面及背面,从而沿着多个切断预定线的各个切断加工对象物而取得多个芯片的技术(例如,参照专利文献1)。作为切断起点区域,可举出例如被形成在基板的内部的改质区域、被形成在加工对象物的表面的槽等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-108459号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在上述那样的技术中,当切断加工对象物而取得多个芯片时,有在芯片的切断面出现阶差,使得芯片的成品率下降的情况。本发明人发现了该阶差的出现起因于切断预定线被设定成相对于加工对象物的基板的结晶方位偏移。
本发明的一个方面以提供可以抑制切断预定线被设定成相对于加工对象物的基板的结晶方位偏移的激光加工装置及激光加工方法为目的。
解决课题的技术手段
本发明的一个方面所涉及的激光加工装置具备:支撑台,其支撑包含由结晶材料所构成的基板的加工对象物;激光光源,其射岀激光;聚光光学系统,其将从激光光源所射岀的激光聚光于被支撑台支撑的加工对象物;摄像部,其对被支撑台支撑的加工对象物的表面进行摄像;候补线设定部,其对加工对象物设定在互相不同的方向上延伸的多个候补线;动作控制部,其控制支撑台、激光光源及聚光光学系统的至少一个的动作,使得沿着多个候补线的各个,在基板的内部形成改质区域,并且龟裂从改质区域到达至加工对象物的表面;及基准线设定部,其对加工对象物设定根据通过摄像部所摄像的龟裂的图像而决定为表示基板的结晶方位的线的基准线。
本发明人发现了当沿着候补线形成切断起点区域,且以该切断起点区域为起点而切断加工对象物时,相对于该候补线的龟裂的摆动的程度越大的情况下,在被切断的加工对象的切断面出现的阶差的数量越多。通过该见解,本发明的激光加工装置中,对加工对象物设定根据沿着在互相不同的方向上延伸的多个候补线的各个而从改质区域到达至加工对象物的表面的龟裂的图像而决定的基准线(表示基板的结晶方位的线)。由此,能够对加工对象物设定在平行于基准线的方向上延伸的切断预定线。由此,根据本发明的激光加工装置,可以抑制切断预定线被设定成相对于加工对象物的基板的结晶方位偏移。
在本发明的一个方面所涉及的激光加工装置中,也可以是候补线设定部对加工对象物设定在互相不同的规定方向上延伸的规定条数的候补线,基准线设定部将规定条数的候补线中龟裂的摆动的程度最小的候补线作为基准线而对加工对象物设定。在此情况下,由于仅对于在互相不同的规定方向上延伸的规定条数的候补线,实施激光的照射、龟裂的状态的确认等即可,因而可以简易地实施对加工对象物设定基准线。
在本发明的一个方面所涉及的激光加工装置中,也可以是候补线设定部以被设置在加工对象物的定向平面(orientation flat)为基准,对加工对象物设定在互相不同的规定方向上延伸的规定条数的候补线。在此情况下,可以抑制在每个加工对象物候补线的设定发生偏差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





