[发明专利]针对多个电压域的单个LDO

权利要求书

1.一种电压调节器，包括：

多个传输晶体管，所述多个传输晶体管中的每一个传输晶体管被耦合在输入电源轨和多个调节器输出中的相应一个调节器输出之间；

多个平均电阻器，被配置为对多个反馈电压进行平均以生成平均反馈电压，其中所述多个反馈电压中的每一个反馈电压为所述多个调节器输出中的相应一个调节器输出提供电压反馈；以及

放大器，具有耦合到所述平均反馈电压的第一输入以及耦合到参考电压的第二输入，其中所述放大器被配置为以减小所述参考电压和所述平均反馈电压之间的差异的方向来驱动所述多个传输晶体管。

2.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个分压器，其中所述分压器中的每一个分压器被配置为将所述多个调节器输出中的相应一个调节器输出的电压划分为相应的分压，并且所述多个反馈电压中的每一个反馈电压对应于所述分压中的相应一个分压。

3.根据权利要求2所述的电压调节器，还包括：至少一个反馈电容器，被耦合到所述多个分压器中的至少一个分压器。

4.根据权利要求2所述的电压调节器，其中所述多个分压器中的每一个分压器包括串联耦合的两个电阻器，并且所述多个分压器中的每一个分压器的所述分压由位于所述相应电阻器之间的节点提供。

5.根据权利要求2所述的电压调节器，还包括多个分压器开关，其中所述多个分压器开关中的每一个分压器开关被配置为基于来自控制器的相应控制信号，将所述多个分压器中的相应一个分压器选择性地耦合到接地。

6.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括：电容器，被耦合在所述平均电阻器的公共节点与接地之间。

7.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述传输晶体管中的每一个传输晶体管包括p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，所述p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管具有被耦合到所述输入电源轨的源极以及被耦合到所述多个调节器输出中的相应一个调节器输出的漏极。

8.根据权利要求7所述的电压调节器，其中所述放大器被配置为驱动所述传输晶体管的栅极。

9.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个栅极开关，其中所述多个栅极开关中的每一个栅极开关被耦合在所述输入电源轨和所述多个传输晶体管中的相应一个传输晶体管的栅极之间。

10.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个栅极开关，其中所述多个栅极开关中的每一个栅极开关被耦合在所述放大器的输出与所述多个传输晶体管中的相应一个传输晶体管的栅极之间。

11.根据权利要求1所述的电压调节器，还包括多个反馈开关，其中所述多个反馈开关中的每一个反馈开关被配置为：基于来自控制器的相应控制信号来控制所述多个反馈电压中的相应一个反馈电压是否贡献于所述平均反馈电压。

12.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述多个平均电阻器中的至少一个平均电阻器具有与所述多个平均电阻器中的另一个平均电阻器的电阻不同的电阻。

13.一种用于电压调节的方法，包括：

使用相应传输晶体管从输入电源电压提供多个输出电压；

对多个反馈电压进行平均以生成平均反馈电压，其中所述多个反馈电压中的每一个反馈电压为所述多个输出电压中的相应一个输出电压提供反馈；

将所述平均反馈电压与参考电压进行比较；以及

以减小所述参考电压与所述平均反馈电压之间的差异的方向来驱动所述传输晶体管。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：通过使用相应分压器对所述输出电压中的所述相应一个输出电压进行划分来生成所述多个反馈电压中的每一个反馈电压。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用一个或多个反馈电容器对所述反馈电压中的一个或多个反馈电压上的瞬态噪声进行衰减。

16.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用反馈电容器对所述平均反馈电压上的瞬态噪声进行衰减。

17.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用一个或多个栅极电阻器来基本上掩蔽所述传输晶体管中一个或多个传输晶体管的栅极电容性负载。