[发明专利]自组装的垂直对准的多芯片组件

权利要求书

1.一种多芯片组件，包括：

具有第一表面和第四表面的第一基板，其中所述第四表面在所述第一基板的所述第一表面的相对侧上，并且所述第一基板包括在相对于所述第四表面的第一高度处布置在所述第一基板上的第一光波导；

具有第二表面和第五表面的第二基板，其中所述第五表面在所述第二基板的所述第二表面的相对侧上，并且所述第二基板包括：

在相对于所述第五表面的第二高度处布置在所述第二基板上的第二光波导；以及

布置在所述第五表面上的具有厚度的间隔物；

具有第三表面的第三基板，所述第三表面机械地耦合到所述第一表面和所述第二表面；以及

具有第六表面的第四基板，所述第六表面机械地耦合到所述第四表面和所述间隔物的顶表面，其中所述间隔物的厚度使所述第一光波导与所述第二光波导对准，

其中所述第一高度等于所述第二高度与所述间隔物的厚度的和。

2.如权利要求1所述的多芯片组件，其中所述第一基板包括限定在除了硅以外的半导体中的半导体光学放大器。

3.如权利要求1或2所述的多芯片组件，其中所述第二基板包括光子芯片。

4.如权利要求3所述的多芯片组件，其中所述光子芯片包括：

所述第二基板；

布置在所述第二基板上的掩埋氧化物层；以及

布置在所述掩埋氧化物层上的半导体层，其中所述第二光波导限定在所述半导体层中。

5.如权利要求4所述的多芯片组件，其中所述第二基板、所述掩埋氧化物层和所述半导体层构成绝缘体上硅技术。

6.如权利要求1或2所述的多芯片组件，其中所述第一表面和所述第三表面包括具有亲水材料的面对区域，并且所述第二表面和所述第三表面包括具有亲水材料的面对区域。

7.如权利要求1或2所述的多芯片组件，其中所述第四表面和所述第六表面包括具有亲水材料的面对区域。

8.如权利要求7所述的多芯片组件，其中所述第六表面包括在所述第四表面与所述第六表面之间的重叠区域外部的具有疏水材料的区域。

9.如权利要求8所述的多芯片组件，其中所述疏水材料包括以下中的一个：含氟聚合物和聚对二甲苯。

10.如权利要求8所述的多芯片组件，其中使用用氧的等离子体处理来制造所述疏水材料。

11.如权利要求1或2所述的多芯片组件，其中所述第五表面和所述第六表面包括具有亲水材料的面对区域。

12.如权利要求11所述的多芯片组件，其中所述第六表面包括具有疏水材料的区域，所述区域在所述间隔物的顶表面与所述第六表面之间的重叠区域外部。

13.如权利要求12所述的多芯片组件，其中所述疏水材料包括以下中的一个：含氟聚合物和聚对二甲苯。

14.如权利要求12所述的多芯片组件，其中使用用氧的等离子体处理来制造所述疏水材料。

15.如权利要求1所述的多芯片组件，其中所述多芯片组件还包括在所述第四表面与所述第六表面之间的重叠区域之间以及在所述第五表面上的所述间隔物与所述第六表面之间的重叠区域之间的环氧树脂层。

16.如权利要求1所述的多芯片组件，其中所述间隔物包括以下中的一个：金属、聚合物和树脂。

17.一种包括多芯片组件的系统，包括：

处理器；

存储被配置为由所述处理器执行的程序模块的存储器；以及

根据权利要求1-16中任一项所述的多芯片组件。