[发明专利]电路检查方法以及样品检查装置

说明书

本发明的目的涉及检测现有的EBAC中难以确定的不良部位所引起的信号。在本发明的一个实施方式中，使至少1根探针接触形成了电路的样品，一边经由探针对通过探针的接触确定的电路提供电力，一边用带电粒子束扫描样品，并经由探针测定被局部地加热的不良的电阻值变化。根据本发明，即使是高电阻不良、埋没于样品内部的不良所引起的信号，也能容易地检测。

技术领域

本发明涉及电路检查方法以及样品检查装置，一边使至少1根探针接触形成了电路的半导体其他样品，一边对样品照射带电粒子束，进行通过探针的接触确定的电路中的不良的分析。

背景技术

在半导体表面形成了电路的半导体样品的不良分析中，不良部位的确定很重要。另一方面，伴随近来的器件的微细化，不良部位的确定变得很困难。其结果，在不良分析中需要大量的时间。因此，当前，OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change，光束诱发电阻变化)、EB(Electron Beam，电子束)测试仪其他分析装置被用在这种不良分析中。

在这当中，在与布线的不良分析相关的领域，将以电子束为代表的带电粒子束对半导体样品进行照射，并且使探头(探针)接触样品，对被布线吸收的电流或从半导体样品放出的二次的信号(二次电子、反射电子等)进行分析，并使之图像化，这样的技术正受到关注。基于被布线吸收的电流(吸收电流)得到的信号(吸收电流信号)的分布像被称作电子束吸收电流像(EBAC，Electron Beam Absorbed Current)。

在JP特开2008-203075号公报(专利文献1)中公开了一种吸收电流检测装置，其对样品表面的布线图案照射带电粒子束，测定流过与该布线图案接触的2根探针a以及b的吸收电流。专利文献1的装置的特征在于，将流过探针a以及b的吸收电流经由具有给定的电阻值的输出电压调整用的输入电阻提供给电流/电压变换器。

另一方面，在JP特开2009-252854号公报(专利文献2)中公开了如下技术：使作成吸收电流像时的样品的温度可变，取得各温度下作成的吸收电流像的差分图像，由此，即使在不良部分与正常部分之间，信号的位移少，也容易确定不良部位。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2008-203075号公报

专利文献2：JP特开2009-252854号公报

发明内容

发明要解决的课题

本申请发明者对电阻值高的不良部位的确定进行专心研究的结果，得到如下见解。

在如专利文献1那样将照射的电子束作为信号源来利用的现有的EBAC装置中，在不良部位的电阻值高(以下将这样的不良称作高电阻不良)的情况下，吸收电流变少，信号的位移变小。因此，布线之间保持绝缘的正常的状态、和布线之间存在高电阻不良的状态之间的区别很困难。

为了使EBAC的信号量增加，考虑增加电子束的照射量。但是，通过使电子束的照射量增加，电子束给样品带来的损伤、污染量、带电量也同时增加。进而，在不良埋在样品内部的情况下，由于在样品内部发生电子的扩散，因而不良的位置会模糊。

另一方面，专利文献2所示的装置能通过将样品整体加热或冷却而使得易于确定不良部位。但是，该装置的手法并无意使样品的温度局部地发生变化，不能提取不良部位(及其近旁)的局部的温度变化所引起的信号，难以确定高电阻不良。

本发明的目的涉及检测现有的EBAC中难以确定的不良部位所引起的信号。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，在本发明的一个实施方式中，使至少1根探针接触形成了电路的样品，一边经由探针对通过探针的接触确定的电路提供电力，一边用带电粒子束扫描样品，经由探针测定被局部地加热的不良的电阻值变化。